Electric-pulse-induced resistance switching in manganite films grown by metalorganic chemical vapor deposition with in situ spectroscopic diagnostics

通过原位光谱诊断通过金属有机化学气相沉积生长的亚锰酸盐薄膜中的电脉冲诱导电阻切换

• 批准号: 19360144
• 负责人: NAKAMURA Toshihiro
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360144/
• 关键词: 不揮発性メモリー; ReRAM; ペロブスカイト型酸化物; マンガン酸化物; MOCVD; その場プロセス診断; 抵抗スイッチング; 交流インピーダンス法; 電極材料; 電子・電気材料; 先端機能デバイス

Recently, a large resistance change by the application of an electric pulse was observed at room temperature in metal oxides such as Pr_<1-x>Ca_xMnO_3 (PCMO). This effect provides a possibility of a next-generation nonvolatile memory, called resistance random access memory (ReRAM). In this work, the composition control based on the in situ spectroscopic monitoring was developed to improve the reproducibility of the resistance switching in the deposited PCMO films. The frequency response of complex impedance of the PCMO-based devices was measured to study the resistance switching mechanism. The electric-pulse-induced change of the impedance spectra suggested that the resistance switching in the PCMO-based devices was due to the resistance change in both the grain bulk and the interface between the film and the electrode.

最近，在金属氧化物如Pr_ Ca_xMnO_3（PCMO）中，在室温下观察到通过施加电脉冲的大的电阻变化<1-x>。这种效应提供了下一代非易失性存储器的可能性，称为电阻随机存取存储器（ReRAM）。在这项工作中，成分控制的基础上，在原位光谱监测开发，以提高在沉积的PCMO膜的电阻开关的再现性。测量了基于PCMO的器件的复阻抗的频率响应，以研究电阻开关机制。电脉冲引起的阻抗谱的变化表明，在基于PCMO的设备中的电阻切换是由于在两个晶粒体和膜与电极之间的界面的电阻变化。

项目成果

RFマグネトロンスパッタリングによるMnドープITOの作製

射频磁控溅射法制备锰掺杂ITO

• 发表时间: 2007
• 作者: 田邊浩平;中村敏浩;橘邦英
• 通讯作者: 橘邦英

Frequency response analysis of magnetoresistive manganite films depositedbv metaloreanic chemical vapor deposition

金属化学气相沉积磁阻锰酸盐薄膜的频率响应分析

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Nakamura;T. Yokoyama;K. Homma;K. Tachibana
• 通讯作者: K. Tachibana

シーズ提供中村敏浩,多元系酸化物薄膜の作製と抵抗スイッチング特性, (財)京都高度技術研究所第9期技術経営人材養成講座, 2009年10月～2010年2月

种子由 Toshihiro Nakamura 提供，多组分氧化物薄膜的制备和电阻转换特性，京都先端技术研究所第 9 期技术管理人力资源培训课程，2009 年 10 月 - 2010 年 2 月

Ferromagnetism of manganese-doped indium tin oxide films deposited on polvethylene nanhthalate substrates

聚萘二甲酸乙二醇酯基底上沉积的锰掺杂氧化铟锡薄膜的铁磁性

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Applied Physics 105
• 作者: T. Nakamura;S. Isozaki;K. Tanabe;K. Tachibana
• 通讯作者: K. Tachibana

Magnetic properties of manganese-doped indium tin oxide films deposited on polvethvlene nanhthalate substrates

聚苯乙烯南酞酸盐基底上沉积的锰掺杂氧化铟锡薄膜的磁性能

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Nakamura;S. Isozaki;K. Tanabe;K. Tachibana
• 通讯作者: K. Tachibana