Development of nitride semiconductor substrate by using the reaction in high density medium

利用高密度介质中的反应开发氮化物半导体衬底

• 批准号: 22656170
• 负责人: SATO Yuzuru
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656170/
• 关键词: 結晶育成; 窒化物; 化合物半導体; 溶融塩; 窒化物半導体; 窒化アルミニウム; 反応媒体; 半導体基板; 熱化学反応

Although AlN semi-conductor is promising for UV emitting device, power, significant power semi-conductors etc., it is not yet practically realized because the substrate made of AlN is not yet produced. In this work, it was tried to synthesize AlN by reacting Al metal with N_2 or NH_3 in the fluoride molten salts which was expected to remove the stable oxide film formed on the Al metal to promote the nitriding reaction. As the results, it was confirmed that the nitriding reaction was successfully brought forward even if the temperature was under the melting point of Al.

虽然AlN半导体在紫外线发射器件、功率、重要功率半导体等方面很有前途，由于还没有生产由AlN制成的衬底，所以还没有实际实现。本工作尝试在氟化物熔盐中，通过金属Al与N_2或NH_3反应来合成AlN，以期去除金属Al表面形成的稳定氧化膜，促进氮化反应。结果证实，即使温度低于Al的熔点，氮化反应也成功地提前。

项目成果

溶融弗化物を共存させた窒化アルミニウム合成法の検討

熔融氟化物共存合成氮化铝方法的研究

• 发表时间: 2012
• 作者: 高木幸之輔;竹田修;佐藤讓
• 通讯作者: 佐藤讓

Ta-Zn系化合物の生成に関する研究

Ta-Zn化合物的生产研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 小野寺清孝;竹田修;佐藤譲
• 通讯作者: 佐藤譲

溶融弗化物を用いた窒化アルミニウムの合成

使用熔融氟化物合成氮化铝

• 作者: 高木幸之輔;竹田修;佐藤讓
• 通讯作者: 佐藤讓