Development of dopant atom devices based on silicon nanostructures

基于硅纳米结构的掺杂原子器件的开发

• 批准号: 23226009
• 负责人: Tabe Michiharu
• 金额: $ 134.04万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23226009/
• 关键词: 電子デバイス・機器; シングルドーパント; シリコン; 量子ドット; ドーパント原子; ナノデバイス; トランジスタ; 接合ダイオード

项目成果

Effect of Individual Dopants in Esaki Tunneling Diodes

江崎隧道二极管中各个掺杂剂的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: Hoang Nhat Tan;Daniel Moraru;Ryosuke Unno;Anak Agung Ngurah Gde Sapteka;Sri Purwiyanti,Le The Anh;Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno;Hiroshi Mizuta;Djoko Hartanto;Michiharu Tabe
• 通讯作者: Michiharu Tabe

Silicon Nanoscale Transistors with Dopant-Induced Quantum Dots

具有掺杂诱导量子点的硅纳米级晶体管

• 发表时间: 2014
• 作者: Daniel Moraru;Krzysztof Tyszka;Arup Samanta,Yuuki Takasu,Takahiro Tsutaya;Takeshi Mizuno;Ryszard Jablonski;Michiharu Tabe
• 通讯作者: Michiharu Tabe

Interband Tunncling through Individual Dopants in Nanoscale pn Junctions

通过纳米级 pn 结中的单个掺杂剂实现带间隧道

• 发表时间: 2014
• 作者: Hoang Nhat Tan;Purwiyanti Sri;Daniel Moraru;Le The Anh;Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno;Hiroshi Mizuta;Hartanto Djoko;Michiharu Tabe
• 通讯作者: Michiharu Tabe

Study of Quantized-Energy Effects in Si Nanoscale Lateral pn Junction Diodes

硅纳米级横向pn结二极管的量子化能量效应研究

• 发表时间: 2014
• 作者: Sri Purwiyanti;Hoang Nhat Tan;Daniel Moraru;Le The Anh;Muruganathan Manoharan;Takeshi Mizuno;Hiroshi Mizuta;Djoko Hartanto;Michiharu Tabe
• 通讯作者: Michiharu Tabe

Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature -Toward room temperature operation-

单掺杂原子晶体管在高温下的电子隧道操作-走向室温操作-

• 作者: Daniel Moraru;Earfan Hamid;Arup Samanta;Le The Anh;Takeshi Mizuno;Hiroshi Mizuta;Michiharu Tabe
• 通讯作者: Michiharu Tabe