Development of dopant atom devices based on silicon nanostructures
Development of dopant atom devices based on silicon nanostructures
基于硅纳米结构的掺杂原子器件的开发
批准号：
23226009
负责人：
Tabe Michiharu
金额：
$134.04万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2016-03-31
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Effect of Individual Dopants in Esaki Tunneling Diodes
江崎隧道二极管中各个掺杂剂的影响
江崎隧道二极管中各个掺杂剂的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hoang Nhat Tan, Daniel Moraru, Ryosuke Unno, Anak Agung Ngurah Gde Sapteka, Sri Purwiyanti,Le The Anh, Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno, Hiroshi Mizuta, Djoko Hartanto, Michiharu Tabe]
通讯作者：
Michiharu Tabe
Interband Tunncling through Individual Dopants in Nanoscale pn Junctions
通过纳米级 pn 结中的单个掺杂剂实现带间隧道
通过纳米级 pn 结中的单个掺杂剂实现带间隧道
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hoang Nhat Tan, Purwiyanti Sri, Daniel Moraru, Le The Anh, Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno, Hiroshi Mizuta, Hartanto Djoko, Michiharu Tabe]
通讯作者：
Michiharu Tabe
Study of Quantized-Energy Effects in Si Nanoscale Lateral pn Junction Diodes
硅纳米级横向pn结二极管的量子化能量效应研究
硅纳米级横向pn结二极管的量子化能量效应研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sri Purwiyanti, Hoang Nhat Tan, Daniel Moraru, Le The Anh, Muruganathan Manoharan, Takeshi Mizuno, Hiroshi Mizuta, Djoko Hartanto, Michiharu Tabe]
通讯作者：
Michiharu Tabe
Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature -Toward room temperature operation-
单掺杂原子晶体管在高温下的电子隧道操作-走向室温操作-
单掺杂原子晶体管在高温下的电子隧道操作-走向室温操作-
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daniel Moraru, Earfan Hamid, Arup Samanta, Le The Anh, Takeshi Mizuno, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe]
通讯作者：
Michiharu Tabe
Observation of Individual Dopants in the Electrical Characteristics of Nanoscale pn Junctions
纳米级 pn 结电特性中单个掺杂剂的观察
纳米级 pn 结电特性中单个掺杂剂的观察
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sri Purwiyanti, ダニエル モラル, 水野武志, ジョコ ハルタント, 田部道晴]
通讯作者：
田部道晴
共 164 条
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