Ultra wide band CW THz wave generation with ultra narrow line width
具有超窄线宽的超宽带连续太赫兹波产生
基本信息
- 批准号:23360025
- 负责人:
- 金额:$ 12.31万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Layered semiconductor crystal GaSe was grown for the first time by using our original liquid phase method at low and constant growth temperature. Due to the low growth temperature, pure single epsilon phase crystals can be realized. It is shown that the stoichiometry control improved the IR and THz absorption characteristics. From the electrical evaluation results, it is noticed that the our liquid phase grown crystals contain less native point defects compared with those in commercially available Bridgman grown crystals. In order to reduce the free carrier absorption, transition element impurity was doped and then deep levels can be introduced in the band gap, as expected. By using our liquid phase grown crystals, THz generation was realized with the output power up to about 3mW. It is shown that the generation efficiency was improved by one order of magnitude compared with that of commercially available Bridgman grown crystals.
首次在低温恒温条件下,采用本课题组提出的液相法生长了层状半导体晶体GaS。由于生长温度较低,可以获得纯的单epsilon相晶体。结果表明,化学计量比控制改善了红外和太赫兹的吸收特性。从电学评价结果中可以看出,与市售的Bridgman生长的晶体相比,我们的液相生长的晶体中含有较少的本征点缺陷。为了减少自由载流子吸收,掺杂了过渡元素杂质,然后可以在带隙中引入深能级,正如预期的那样。利用我们的液相生长晶体,实现了太赫兹的产生,输出功率高达3 mW。结果表明,与市售布里奇曼晶体相比,该晶体的产生效率提高了一个数量级。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
液相成長法によるGaSe結晶のFe 添加によるディープレベル形成
使用液相生长法在 GaSe 晶体中添加 Fe 形成深能级
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:鈴木康平;長井悠輝、渡辺淳志、前田健作、小山裕
- 通讯作者:長井悠輝、渡辺淳志、前田健作、小山裕
Material science and technology as a basis for device realization for THz
材料科学与技术作为太赫兹器件实现的基础
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:出崎光,田邊匡生;小山裕
- 通讯作者:小山裕
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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