A novel current injection in wide bandgap semiconductors with tunnel junctions

具有隧道结的宽带隙半导体中的新型电流注入

• 批准号: 23560015
• 负责人: TAKEUCHI Tetsuya
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560015/
• 关键词: ワイドギャップ半導体; 窒化物半導体; トンネル接合; 低抵抗化; 水素脱理; 電流狭窄; Mg偏析; メモリー効果; 水素脱離

The objective of this research is to develop a novel current injection in wide bandgap semiconductors, especially nitride semiconductors which are supreme materials for light emitting and detecting devices covering the ranges from infrared to deep ultraviolet. Such wide bandgap materials show highly resistive p-layers, resulting in poor characteristics of ultraviolet light emitting devices. In the research very low resistive tunnel junctions have been obtained. The highly resistive p-layers are replaced with the low resistive n-layers by the tunnel junctions, leading to novel light emitting and detecting devices. High In content GaInN tunnel junctions show one order of magnitude lower resistances than before. Current confinement micro light emitting diodes, micro displays and tandem solar cells have been developed with the tunnel junctions. The novel current injection with tunnel junctions has been established.

本研究的目的是在宽禁带半导体中开发一种新的电流注入，特别是氮化半导体，它是从红外到深紫外范围内发光和探测器件的最佳材料。这种宽禁带材料具有高阻p层，导致紫外发光器件的特性较差。在研究中获得了极低电阻的隧道结。通过隧道结，高阻p层被低阻n层所取代，从而产生了新型的发光和探测器件。高In含量的GaInN隧道结的电阻比以前降低了一个数量级。电流约束微型发光二极管、微型显示器和串联太阳能电池都是利用隧道结发展起来的。建立了具有隧道结的新型注入电流。

项目成果

窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング

氮化物半导体隧道结的高浓度掺杂

• 发表时间: 2011
• 作者: 加賀 充;山下 浩司;矢木 康太;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤崎 勇;天野 浩
• 通讯作者: 天野 浩

窒化物半導体トンネル接合の作製

氮化物半导体隧道结的制造

• 发表时间: 2011
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告
• 作者: 加賀 充;飯田大輔;北野 司;山下 浩司;矢木 康太;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤崎 勇;天野 浩
• 通讯作者: 天野 浩

III族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合

使用III族氮化物半导体的低电阻隧道结

• 发表时间: 2012
• 作者: 森田隆敏;加賀充;桑野侑香;山下浩司;松井健城;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
• 通讯作者: 赤﨑勇

Investigation of AlN/GaN Multilayer Stacks for DBR Applications

针对 DBR 应用的 AlN/GaN 多层堆栈的研究

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Yagi;M. Kaga;K. Yamashita;K. Takeda;M. Iwaya;T. Takeuchi;S. Kamiyama;H. Amano;and I. Akasaki
• 通讯作者: and I. Akasaki

Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions

基于氮化物半导体的隧道结的带隙依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: D. Minamikawa;M. Kaga;Y. Kuwano;T.Morita;T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
• 通讯作者: I. Akasaki