A novel current injection in wide bandgap semiconductors with tunnel junctions

具有隧道结的宽带隙半导体中的新型电流注入

• 批准号: 23560015
• 负责人: TAKEUCHI Tetsuya
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560015/
• 关键词: ワイドギャップ半導体; 窒化物半導体; トンネル接合; 低抵抗化; 水素脱理; 電流狭窄; Mg偏析; メモリー効果; 水素脱離

The objective of this research is to develop a novel current injection in wide bandgap semiconductors, especially nitride semiconductors which are supreme materials for light emitting and detecting devices covering the ranges from infrared to deep ultraviolet. Such wide bandgap materials show highly resistive p-layers, resulting in poor characteristics of ultraviolet light emitting devices. In the research very low resistive tunnel junctions have been obtained. The highly resistive p-layers are replaced with the low resistive n-layers by the tunnel junctions, leading to novel light emitting and detecting devices. High In content GaInN tunnel junctions show one order of magnitude lower resistances than before. Current confinement micro light emitting diodes, micro displays and tandem solar cells have been developed with the tunnel junctions. The novel current injection with tunnel junctions has been established.

本研究的目的是在宽带隙半导体，特别是氮化物半导体中开发一种新的电流注入，氮化物半导体是覆盖从红外到深紫外范围的发光和检测器件的最佳材料。这种宽带隙材料显示出高电阻p层，导致紫外光发射器件的特性差。在研究中，已经获得了非常低电阻的隧道结。高电阻的p-层被隧道结的低电阻的n-层所取代，从而产生新颖的发光和检测器件。高In含量的GaInN隧道结显示出比以前低一个数量级的电阻。利用隧道结已经开发出了电流限制型微型发光二极管、微型显示器和串联太阳能电池。建立了一种新颖的隧道结电流注入方法。

项目成果

窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング

氮化物半导体隧道结的高浓度掺杂

• 发表时间: 2011
• 作者: 加賀 充;山下 浩司;矢木 康太;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤崎 勇;天野 浩
• 通讯作者: 天野 浩

窒化物半導体トンネル接合の作製

氮化物半导体隧道结的制造

• 发表时间: 2011
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告
• 作者: 加賀 充;飯田大輔;北野 司;山下 浩司;矢木 康太;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤崎 勇;天野 浩
• 通讯作者: 天野 浩

III族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合

使用III族氮化物半导体的低电阻隧道结

• 发表时间: 2012
• 作者: 森田隆敏;加賀充;桑野侑香;山下浩司;松井健城;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
• 通讯作者: 赤﨑勇

Investigation of AlN/GaN Multilayer Stacks for DBR Applications

针对 DBR 应用的 AlN/GaN 多层堆栈的研究

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Yagi;M. Kaga;K. Yamashita;K. Takeda;M. Iwaya;T. Takeuchi;S. Kamiyama;H. Amano;and I. Akasaki
• 通讯作者: and I. Akasaki

AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製

使用 AlN 模板制造高质量 AlN/GaN 多层反射器

• 发表时间: 2011
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告
• 作者: 矢木 康太;加賀 充;山下 浩司;竹田 健一郎;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤崎 勇;天野 浩
• 通讯作者: 天野 浩