Study of the structure and the mechanism of photoluminescence of the iron silicide nano island by the dynamical analysis of low-energy electron microscopy

低能电子显微镜动力学分析研究硅化铁纳米岛结构及光致发光机理

• 批准号: 23560021
• 负责人: MATSUMOTO Masuaki
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Tokyo Gakugei University (2013)The University of Tokyo (2011-2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560021/
• 关键词: 薄膜; 表面構造; 低速電子回折法; 低速電子顕微鏡法; 動力学的解析; 鉄シリサイド; 低速電子顕微鏡

In this research, the initial growth process of the iron silicide nano islands on Si(111) was studied by the low-energy electron microscopy (LEEM) with high spatial resolution.From the LEEM images at several growth phases of several growth methods, the incident electron energy dependences of the low-energy electron diffraction (LEED) intensity were directly extracted and the dynamical analyses of LEED were performed.The practical spatial resolution of the structure determination was about 50 nm. The LEED intensity of a half order spot in addition to the (0,0) spot with the incident electron energy range from 0 eV to 100 eV was obtained, which enables precise determination of the surface structure of small area (about several hundred square nm).

本研究利用高空间分辨率的低能电子显微镜（LEEM）研究了Si（111）衬底上硅化铁纳米岛的初始生长过程，从几种生长方法的几个生长阶段的LEEM图像来看，低能电子衍射（LEED）的入射电子能量依赖性用LEED进行动力学分析，结构测定的实际空间分辨率约为50 nm。 在入射电子能量为0 ~ 100 eV的范围内，获得了除（0，0）点外的半级点的LEED强度，从而能够精确测定小面积（约几百平方nm）的表面结构。

项目成果

Ir(111)表面上におけるNOの分子状飽和吸着構造と解離吸着構造の決定

Ir(111)表面NO分子饱和吸附结构和解离吸附结构的测定

• 发表时间: 2012
• 作者: A. Tamura;A. Matsumoto;T. Sakka;K. Fukami;Y. H. Ogata;松本益明,福谷克之,岡野達雄
• 通讯作者: 松本益明,福谷克之,岡野達雄

SrTiO_3 (001)表面におけるH^-の安定構造

SrTiO_3(001)表面H^-的稳定结构

• 发表时间: 2013
• 作者: 武安光太郎;深田啓介;小倉正平;松本益明;福谷克之
• 通讯作者: 福谷克之

ルチル型TiO_2(110)面の表面欠陥による電子準位と水素吸着による変化

金红石型TiO_2(110)表面缺陷和氢吸附引起的电子能级变化

• 发表时间: 2011
• 作者: 櫻井亮;P. Koley;K. Liu;青野正和;小林英一,岡島敏浩;Iwao Matsuda;T. Inoue and S. Shida;深田啓介,武安光太郎,松本益明,村田好正,福谷克之
• 通讯作者: 深田啓介,武安光太郎,松本益明,村田好正,福谷克之

Control of the surface electronic structure 01 SrTi03 (001) by aodulation of the density of oxygen vacancies

通过调节氧空位密度控制表面电子结构 01 SrTi03 (001)

• DOI: 10.1088/0953-8984/25/16/162202
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Phys.:Conoens. Mater (Fast track communication)
• 作者: K. Takeyasu;K. Fukada;M. Mat sumo to and K. Fukutani
• 通讯作者: M. Mat sumo to and K. Fukutani

Fe3O4(111)表面の電子状態

Fe3O4(111)表面电子态

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Tamura;A. Matsumoto;K. Fukami;Y. H. Ogata;N. Nishi;T. Sakka;浅川寛太,武安光太郎,松本益明,河内泰三,張小威,福谷克之
• 通讯作者: 浅川寛太,武安光太郎,松本益明,河内泰三,張小威,福谷克之