Development of new microprocessing technology of silicon crystalline substrate: internal, three-dimensional, arbitrary-shape removal processing
Development of new microprocessing technology of silicon crystalline substrate: internal, three-dimensional, arbitrary-shape removal processing
硅晶基片微加工新技术开发：内部、三维、任意形状去除加工
批准号：
23656109
负责人：
MATSUO Shigeki
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
We have been developing an internal, three-dimensional, arbitrary-shape removal processing technique for transparent solid substrates. The technique consists of two-step: irradiation focused ultrashort laser pulses and chemical etching. In this research, we tried to apply this technique to silicon, which is opaque in visible but transparent in infrared wavelength longer than about 1.1 μm. We examined several kinds of etchant, and found that selective etching occurs on the back surface when nitric hydrofluoric acid was used as etchant.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Three-Dimensional Micro Modification and Selective Etching of Crystalline Silicon Using 1.56-μm Subpicosecond Laser Pulses
使用 1.56 μm 亚皮秒激光脉冲对晶体硅进行三维微改性和选择性蚀刻
使用 1.56 μm 亚皮秒激光脉冲对晶体硅进行三维微改性和选择性蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[内藤恭平, 三木寛之, 高木敏行, Michel Belin, 東 翔也, 金田脩佑, 松尾繁樹]
通讯作者：
松尾繁樹
Three-Dimensional Micro Modification and Selective Etching of Crystalline Silicon Using 1.56-μmSubpicosecond Laser Pulses
使用 1.56 μm 亚皮秒激光脉冲对晶体硅进行三维微改性和选择性蚀刻
使用 1.56 μm 亚皮秒激光脉冲对晶体硅进行三维微改性和选择性蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kyohei Naito, Hiroyuki Miki, Michel Belin, Toshiyuki Takagi, 前濱宏樹, 松尾繁樹 他]
通讯作者：
松尾繁樹 他
Development and application of optically-driven micro rotator that rotates inside transparent solid substrate
-
批准号：20360115
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.81万
-
财政年份：2008
-
负责人：MATSUO Shigeki
-
依托单位：
海外基金
