Molecular simulation of pattern formation in electron beam lithography

电子束光刻中图案形成的分子模拟

• 批准号: 23656245
• 负责人: YASUDA Masaaki
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656245/
• 关键词: 電子線リソグラフィ; モンテカルロ法; 分子動力学法; 電子線露光; 現像; レジスト; 弾性衝突

We developed molecular simulation to investigate the pattern formation in electron beam lithography. We introduced the effect of electron exposure by the chain scission of the polymer molecules. The breaking positions in the polymer chain are randomly selected. The chain scission rate is set proportional to the absorbed energy distribution in the polymer materials calculated by the Monte Carlo simulation of the electron scattering. In the development process, the small segments of polymer molecules are removed from the resist structure. Our present simulation revealed the typical structure of atomic scale line edge roughness and electron irradiation damage of the sample.

利用分子模拟技术研究了电子束光刻中图形的形成过程。介绍了聚合物分子断链引起的电子辐照效应。聚合物链中的断裂位置是随机选择的。断链速率被设定成与通过电子散射的Monte Carlo模拟计算的聚合物材料中的吸收能量分布成比例。在显影过程中，从抗蚀剂结构中去除聚合物分子的小片段。模拟结果揭示了样品的原子尺度谱线、边缘粗糙度和电子辐照损伤的典型结构。

项目成果

電子線リソグラフィにおけるパターン形成の分子シミュレーション

电子束光刻中图案形成的分子模拟

• 发表时间: 2012
• 作者: 高井里奈;酒井裕史;安田雅昭;川田博昭;平井義彦
• 通讯作者: 平井義彦

電子線リソグラフィの分子シミュレーション(2)

电子束光刻的分子模拟（二）

• 发表时间: 2014
• 作者: 道下勝司;安田雅昭;川田博昭;平井義彦
• 通讯作者: 平井義彦

電子線リソグラフィにおけるラインエッジラフネスの分子動力学解析(2)

电子束光刻线边缘粗糙度的分子动力学分析（2）

• 发表时间: 2013
• 作者: 道下勝司;安田雅昭;川田博昭;平井義彦
• 通讯作者: 平井義彦

Electron Beam Lithography Simulation for Nanometer-scale Patterning

纳米级图案化的电子束光刻模拟

• 发表时间: 2013
• 作者: K. Michishita;M. Yasuda;H. Kawata and Y. Hirai
• 通讯作者: H. Kawata and Y. Hirai

電子線リソグラフィの分子シミュレーション

电子束光刻的分子模拟

• 作者: 道下勝司;高井里奈，安田雅昭，川田博昭，平井義彦
• 通讯作者: 高井里奈，安田雅昭，川田博昭，平井義彦