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Development of High-density optically-controlled field emitter array based on surface plasmon superfocusing

Development of High-density optically-controlled field emitter array based on surface plasmon superfocusing
基于表面等离子体超聚焦的高密度光控场发射器阵列的研制
批准号：
23686016
负责人：
IWAMI Kentaro
金额：
$17.56万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23686016/
关键词：
MEMSNEMSプラズモニクス電子ビーム微小電子源冷陰極マイクロマシン微細加工電子源光制御波長板マイクロシステムメタサーフェスプラズモン電子線リソグラフィMEMS/NEMS電界放出電子デバイス・機器ビーム応用

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Advanced Applications of Rapid Prototyping Technology in Modern Engineering
快速成型技术在现代工程中的先进应用
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [Kentaro Iwami, Norihiro Umeda]
通讯作者： Norihiro Umeda
Ultrasmall radial polarizer array based on patterned plasmonic nanoslits
DOI： 10.1063/1.4761943
发表时间： 2012-10
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [K. Iwami;Miho Ishii;Y. Kuramochi;K. Ida;N. Umeda]
通讯作者： K. Iwami;Miho Ishii;Y. Kuramochi;K. Ida;N. Umeda
Research - Iwami Group
研究 - 石见集团
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Microfabrication of a Free-Standing NiW Alloy Film as a Wavelength-Selective Surface
作为波长选择表面的独立式 NiW 合金薄膜的微加工
DOI： 10.1166/jctn.2015.3809
发表时间： 2015
期刊： Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
影响因子： --
作者： [Nashun, Kentaro Iwami,Norihiro Umeda]
通讯作者： Kentaro Iwami,Norihiro Umeda
共 21 条
    Optically-driven field emitter array based on plasmon resonance
    国内基金
    海外基金
    基于概率化失效准则的多晶MEMS/NEMS结构断裂可靠度研究
    • 批准号：
      JCZRQN202500559
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      武汉工程大学
    M/NEMS忆容振荡器的等效建模与动力学演化及多稳态调控研究
    • 批准号：
      62301085
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      陈蓓
    • 依托单位：
      常州大学
    面向新型信息处理器件的可集成碳基NEMS研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      57万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      王新河
    • 依托单位：
      北京航空航天大学
    基于热压阻NEMS谐振器的单芯片射频前端基础器件研究
    • 批准号：
      52075519
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      58.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      赵永梅
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所