Development of the high efficiency high precision wet processing method required for the SiC power device fabrication

开发SiC功率器件制造所需的高效高精度湿法加工方法

• 批准号: 23686027
• 负责人: KUBOTA Akihisa
• 金额: $ 17.47万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23686027/
• 关键词: 超精密加工; 鉄触媒援用研磨; 紫外光援用ウエットエッチング; シリコンカーバイド（SiC）; 精密研磨; シリコンカーバイド; 先端機能デバイス; シリコンカーバイド(SiC); 触媒援用加工; 化学的加工

To satisfy the demand for SiC substrates in power semiconductor device fabrication, we have developed a novel polishing technique utilizing reactive species generated on Fe catalyst surface in hydrogen peroxide solution and applied the proposed technique to flatten a single-crystal SiC substrate. As a result, overall 2-inch SiC wafers could be smoothed and an atomically smooth surface with an rms roughness of 0.1 nm level is obtained by our proposed method. Furthermore, we succeeded in getting various experimental factors to improve the process efficiency in an aqueous solution.

为了满足电力半导体器件制造中对碳化硅衬底的需求，我们开发了一种新的抛光技术，该技术利用在过氧化氢溶液中铁催化剂表面产生的活性物质来抛光单晶碳化硅衬底，并将该技术用于单晶碳化硅衬底的平整。结果表明，采用该方法可以对2英寸的碳化硅晶片表面进行光滑处理，并获得均方根粗糙度为0.1 nm的原子光滑表面。此外，我们还成功地获得了在水溶液中提高过程效率的各种实验因素。

项目成果

小径工具を用いた単結晶SiC基板表面の平坦化に関する研究

小直径刀具平整单晶SiC衬底表面的研究

• 发表时间: 2012
• 作者: 永江伸,本山修也,久保田章亀,峠睦

Surface polishing of 2-inch 4H-SiC wafer using Fe abrasive particles

使用 Fe 磨粒对 2 英寸 4H-SiC 晶圆进行表面抛光

• 发表时间: 2012
• 期刊: Key Engineering materials
• 作者: Akihisa Kubota;Yuya Ichimori;Mutsumi Touge
• 通讯作者: Mutsumi Touge

ワイドバンドギャップ半導体基板の原子スケール平坦化加工,65巻1号

宽带隙半导体衬底的原子级平坦化，第 65 卷，第 1 期

• 发表时间: 2014
• 作者: Takahiro Shimada;Xiaoyuan Wang;Takayuki Kitamura;久保田章亀
• 通讯作者: 久保田章亀

Fabrication of smooth surface on 4H-SiC substrate by ultraviolet assisted local polishing in hydrogen peroxide solution

过氧化氢溶液中紫外辅助局部抛光在 4H-SiC 衬底上制备光滑表面

• 发表时间: 2012
• 期刊: Key Engineering materials
• 作者: Akihisa Kubota;Kazuya Kurihara and Mutsumi Touge
• 通讯作者: Kazuya Kurihara and Mutsumi Touge

ワイドバンドギャップ半導体基板の原子スケール平坦化加工

宽带隙半导体衬底的原子级平坦化

• 发表时间: 2014
• 作者: 平田靖透;中嶋誠;末元徹;田島裕之;麻生佳子;木内陽子;松下能孝;大串研也;久保田章亀
• 通讯作者: 久保田章亀