Development of an ultra-smooth surface formation technique required for highly efficient SiC power device fabrication.

开发高效 SiC 功率器件制造所需的超光滑表面形成技术。

• 批准号: 20760087
• 负责人: KUBOTA Akihisa
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760087/
• 关键词: 超精密加工; SiC; 平坦化; 触媒支援加工; 紫外光支援加工; パワーデバイス; シリコンカーバイド(SiC); 化学的加工; 触媒援用加工; 超精密研磨

Silicon carbide (SiC) is a promising next-generation semiconductor material for high-temperature, high-frequency and high-power device applications due to its excellent properties, such as good thermal conductivity, good carrier mobility and high chemical stability. However, SiC substrates are relatively difficult to machine because of their mechanical hardness and marked chemical inertness.The purpose of this research is to develop the high precision and high efficiency planarization method for SiC substrate indispensable to production of a next-generation semiconductor device. In this study, we have proposed a novel planarization method for a SiC surface and GaN surface utilizing the OH radicals generated from an Fe catalyst and H2O2 solution, and demonstrated the effectiveness and impact of the proposed method. Finally, we have succeeded in planarizing overall 2-inch SiC substrate and succeeded in smoothing GaN surface.

碳化硅（SiC）具有良好的导热性、载流子迁移率和化学稳定性等优良性能，是下一代高温、高频、大功率半导体材料。然而，SiC衬底的机械硬度和化学惰性使其加工相对困难，本研究的目的是开发下一代半导体器件生产所必需的SiC衬底的高精度和高效率平坦化方法。在这项研究中，我们提出了一种新的平面化方法的SiC表面和GaN表面利用从Fe催化剂和H2O2溶液产生的OH自由基，并证明了所提出的方法的有效性和影响。最后，我们成功地平坦化了整个2英寸的SiC衬底，并成功地平滑了GaN表面。

项目成果

SiC表面上への微細構造形成プロセスに関する研究-微細溝構造の形成-

SiC表面微结构形成过程研究 - 微槽结构的形成 -

• 发表时间: 2008
• 作者: 久保田章亀;宮本士郎;濟陽崇志;安井平司;山内和人
• 通讯作者: 山内和人

単結晶SiC基板の精密研磨技術

单晶SiC衬底精密抛光技术

• 发表时间: 2009
• 作者: 久保田章亀;宮本士郎;濟陽崇志;安井平司
• 通讯作者: 安井平司

遷移金属微粒子を用いた研磨法によるGaN基板の平坦化-基礎加工特性の検討-

通过使用过渡金属微粒的研磨法实现GaN基板的平坦化-基本加工特性的研究-

• 发表时间: 2008
• 作者: 宮本士郎;久保田章亀;安井平司;山内和人
• 通讯作者: 山内和人

紫外光支援ウエットエッチングによる単結晶SiC基板の平坦化

紫外光辅助湿法刻蚀单晶SiC衬底的平坦化

• 发表时间: 2009
• 作者: 道川隆士;鈴木宏正;久保田章亀
• 通讯作者: 久保田章亀

鉄微粒子を利用した単結晶SicおよびGaN基板の平坦化加工

使用铁颗粒平坦化单晶 SiC 和 GaN 基板

• 发表时间: 2008
• 作者: 久保田章亀;宮本士郎;村田順二;八木圭太;原英之;安井平司;佐野泰久;山内和人;Takashi Michikawa and Hiromasa Suzuki;久保田章亀
• 通讯作者: 久保田章亀