High efficiency Cu2ZnSnS4 thin film solar cells based on semiconductor hetero-junction control

基于半导体异质结控制的高效Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    23686056
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 17.72万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films with good surface morphology for the absorber of solar cells have been successfully fabricated by composition control of Cu-Zn-Sn precursor layers. The solar cell with ZnO:Al/ZnO/CdS/CZTS/Mo/glass structure produced 2% efficiency.
通过控制Cu-Zn-Sn前驱层的成分,成功制备了表面形貌良好的太阳能电池吸收层Cu 2 ZnSnS 4(CZTS)薄膜。ZnO:Al/ZnO/CdS/CZTS/Mo/glass结构的太阳能电池效率为2%。

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Cu-Zn-Sn-O precursor fabricated by sputtering for Cu_2ZnSnS_4 thin film
溅射制备Cu_2ZnSnS_4薄膜的Cu-Zn-Sn-O前驱体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Ishino;K. Fukushima;T. Minemoto
  • 通讯作者:
    T. Minemoto
Optimization of compositional ratio of Zn(O,S) window layer in CuInS_2 solar cells
CuInS_2太阳能电池Zn(O,S)窗口层成分比的优化
  • DOI:
    10.1143/jjap.51.10nc10
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    R. Hamazaki;Y. Oda ;S. Fukamizu ;A. Yamamoto;T. Minemoto;H. Takakura
  • 通讯作者:
    H. Takakura
Application of sputtered ZnO_<1-x>S_x buffer layer for Cu(In, Ga)Se_2 solar cells
溅射ZnO_<1-x>S_x缓冲层在Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池中的应用
  • DOI:
    10.1143/jjap.50.04dp10
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    A. Okamoto;T. Minemoto;H. Takakura
  • 通讯作者:
    H. Takakura
裏面側に高欠陥密度層をもつCu(In,Ga)Se_2太陽電池の性能シミュレーション
背面高缺陷密度层Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池性能模拟
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    芦田直輝;田雅;植垣光;廣庭大輔;峯元高志
  • 通讯作者:
    峯元高志
光電変換装置およびその製造方法
光电转换器件及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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