High efficiency Cu2ZnSnS4 thin film solar cells based on semiconductor hetero-junction control
基于半导体异质结控制的高效Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池
基本信息
- 批准号:23686056
- 负责人:
- 金额:$ 17.72万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films with good surface morphology for the absorber of solar cells have been successfully fabricated by composition control of Cu-Zn-Sn precursor layers. The solar cell with ZnO:Al/ZnO/CdS/CZTS/Mo/glass structure produced 2% efficiency.
通过控制Cu-Zn-Sn前驱层的成分,成功制备了表面形貌良好的太阳能电池吸收层Cu 2 ZnSnS 4(CZTS)薄膜。ZnO:Al/ZnO/CdS/CZTS/Mo/glass结构的太阳能电池效率为2%。
项目成果
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专利数量(0)
Cu-Zn-Sn-O precursor fabricated by sputtering for Cu_2ZnSnS_4 thin film
溅射制备Cu_2ZnSnS_4薄膜的Cu-Zn-Sn-O前驱体
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Ishino;K. Fukushima;T. Minemoto
- 通讯作者:T. Minemoto
Optimization of compositional ratio of Zn(O,S) window layer in CuInS_2 solar cells
CuInS_2太阳能电池Zn(O,S)窗口层成分比的优化
- DOI:10.1143/jjap.51.10nc10
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:R. Hamazaki;Y. Oda ;S. Fukamizu ;A. Yamamoto;T. Minemoto;H. Takakura
- 通讯作者:H. Takakura
Application of sputtered ZnO_<1-x>S_x buffer layer for Cu(In, Ga)Se_2 solar cells
溅射ZnO_<1-x>S_x缓冲层在Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池中的应用
- DOI:10.1143/jjap.50.04dp10
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:A. Okamoto;T. Minemoto;H. Takakura
- 通讯作者:H. Takakura
裏面側に高欠陥密度層をもつCu(In,Ga)Se_2太陽電池の性能シミュレーション
背面高缺陷密度层Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池性能模拟
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:芦田直輝;田雅;植垣光;廣庭大輔;峯元高志
- 通讯作者:峯元高志
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