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Creation of growth technique for high-quality zinc oxide thin films using catalytically generated high-energy H2O beam

Creation of growth technique for high-quality zinc oxide thin films using catalytically generated high-energy H2O beam
利用催化产生的高能 H2O 束创建高质量氧化锌薄膜的生长技术
批准号：
24360014
负责人：
YASUI Kanji
金额：
$12.4万
依托单位：
Nagaoka University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360014/
关键词：
化学気相堆積法触媒反応酸化亜鉛薄膜酸化亜鉛薄膜

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Properties of zinc oxide films grown on sapphire substrates using high-temperature H2O generated by a catalytic reaction on platinum nanoparticles
DOI： 10.1116/1.4831969
发表时间： 2014-03
期刊： Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子： --
作者： [K. Yasui;T. Takeuchi;Eichi Nagatomi;Souichi Satomoto;H. Miura;T. Kato;T. Konya]
通讯作者： K. Yasui;T. Takeuchi;Eichi Nagatomi;Souichi Satomoto;H. Miura;T. Kato;T. Konya
ZnO film growth using catalytic reaction assisted chemical vapor deposition
利用催化反应辅助化学气相沉积法生长 ZnO 薄膜
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Z, Sitar, B, E, Gaddy, R, Collazo, J, Xie, Z, Biyan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, D, L, Irving, Kanji Yasui]
通讯作者： Kanji Yasui
Epitaxial growth of ZnO films on a-plane sapphire substrates using high-temperature H2O generated from a catalytic reaction
利用催化反应产生的高温 H2O 在 a 面蓝宝石衬底上外延生长 ZnO 薄膜
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [丹下 直之, 大塚 洋一, 高木　大敬, 西嶋 知史, 松本 卓也, Kanji Yasui]
通讯作者： Kanji Yasui
H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO/a-Al_2O_3の電気伝導特性の解析
H_2-O_2催化反应产生高能H_2O沉积ZnO/a-Al_2O_3的导电性能分析
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [速水義之, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川義裕, 柿本浩一, 永冨瑛智,山口直也,清水英彦,梅本宏信,加藤孝弘,安井寛治]
通讯作者： 永冨瑛智,山口直也,清水英彦,梅本宏信,加藤孝弘,安井寛治
共 40 条
    CVD method diverted from hydrazine thruster technique for the growth of gallium nitride thin film
    • 批准号：
      24656032
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      YASUI Kanji
    • 依托单位：
      Nagaoka University of Technology
    Surface reaction process at epitaxial growth of 3C-SiC on Si(001) using organosilicon compounds
    • 批准号：
      14550023
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.18万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      YASUI Kanji
    • 依托单位：
      Nagaoka University of Technology
    Atomic scale monitoring for epitaxial growth process of 3C-SiC on Si
    • 批准号：
      11650028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.37万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      YASUI Kanji
    • 依托单位：
      Nagaoka University of Technology
    Low temperature growth of 3C-SiC crystal by hydrogen radical assisted plasma enhanced chemical vapor deposition
    • 批准号：
      09650028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.79万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      YASUI Kanji
    • 依托单位：
      Nagaoka Universiyt of Technology
    海外基金