Development of macro-nano combined growth method for energy saving
节能宏观纳米联合生长方法的开发
基本信息
- 批准号:24360012
- 负责人:
- 金额:$ 11.56万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Numerical investigation of the influence of cooling flux on the generation of dislocations in cylindrical mono-like silicon growth
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2013.09.002
- 发表时间:2013-12
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:B. Gao;K. Kakimoto
- 通讯作者:B. Gao;K. Kakimoto
Highly efficient and stable implementation of the Alexander-Haasen model for numerical analysis of dislocationin crystalgrowth
高效稳定地实现用于晶体生长中位错数值分析的 Alexander-Haasen 模型
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2013.01.039
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:B. Gao n;S.Nakano,K.Kakimoto
- 通讯作者:S.Nakano,K.Kakimoto
二次元核形成理論を用いたSiC昇華法成長における多形安定性の非定常解析
利用二维成核理论对 SiC 升华生长的多晶型稳定性进行非稳态分析
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:平山秀樹;藤川紗知恵;鎌田憲彦;荒木清道,高冰,中野智,西澤伸一,柿本浩一
- 通讯作者:荒木清道,高冰,中野智,西澤伸一,柿本浩一
Effect of the Inclusion of T ransparency on the Thermal Field and Interface Shape in Long-term Sublimation Growth of SiC Crystals
透明材料的加入对 SiC 晶体长期升华生长中热场和界面形状的影响
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kaneko;H. Okumura;R. Ishii;M. Funato;Y. Kawakami;T. Kimoto and J. Suda;Bing Gao and Koichi Kakimoto
- 通讯作者:Bing Gao and Koichi Kakimoto
数値解析による結晶成長の定量予測:マクロと原子スケールの融合
使用数值分析定量预测晶体生长:宏观和原子尺度的融合
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Suzuki ;H. Miyake;K. Hiramatsu;and H. Fukuyama;柿本 浩一
- 通讯作者:柿本 浩一
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Development of new method of crystal growth using dynamic electromagnetic force
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- 批准号:
19360012 - 财政年份:2007
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$ 11.56万 - 项目类别:
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$ 11.56万 - 项目类别:
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22K04947 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Realization of a mechanical structure enabling power generation and vibration reduction via band engineering
通过带工程实现可发电和减振的机械结构
- 批准号:
21KK0252 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
異方的圧縮応力の印加による準安定酸化物の高温での反応速度論的安定性の制御
通过施加各向异性压应力控制高温下亚稳态氧化物的动力学稳定性
- 批准号:
22K14286 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Analysis of ohmic metal/semiconductor interfaces by low-temperature SIPM
利用低温 SIPM 分析欧姆金属/半导体界面
- 批准号:
21K04135 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
使用超宽禁带AlN半导体的功率晶体管的开发
- 批准号:
21H01389 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of a harmless flexible diode to humans using by oxide semiconductors and application of rectenna circuits
氧化物半导体对人体无害的柔性二极管的开发及整流天线电路的应用
- 批准号:
21K04203 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A study on a new measurement technique of electron diffusion length in semiconductors using an electron emission mechanism with negative electron affinity
利用负电子亲和势电子发射机制测量半导体中电子扩散长度的新技术研究
- 批准号:
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- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)