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Development of new method of crystal growth using dynamic electromagnetic force
开发利用动态电磁力晶体生长的新方法
基本信息
- 批准号：19360012
- 负责人：
- 金额：$ 12.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We developed new methods of crystal growth of silicon and SiC by using external electro-magnetic fields. The study focused on the crystal growth methods of liquid phase epitaxy and sublimation method. We clarified how gas pressure in a furnace during crystal growth in a furnace for sublimation growth affects growth velocity of SiC. Furthermore, we studied the effects on frequency on flow of the solution in liquid phase epitaxy method.
我们开发了利用外部电磁场生长硅和碳化硅晶体的新方法。重点研究了液相外延法和升华法的晶体生长方法。我们阐明了在升华生长炉中晶体生长过程中的气体压力如何影响碳化硅的生长速度。此外，我们还研究了频率对液相外延法中溶液流动的影响。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the melt during crystallization of silicon for solar cells
太阳能电池用硅晶化过程中坩埚旋转对熔体氧浓度的影响
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Watanabe;S. Seki;M. Sugimoto;M. Yoshikawa;S. Tagawa;S. Tsukuda;S. Tanaka;一色秀夫;S. Nakano
- 通讯作者：S. Nakano
Numerical and experimental investigation of impurity distribution polycrystals for solar cells
太阳能电池用杂质分布多晶的数值和实验研究
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山本琢也;他;Shougo Watanabe;J. Takeya;Satoshi Tsukuda;Koichi Kakomoto
- 通讯作者：Koichi Kakomoto
Numerical Analysis of Impurity Transport in a Unidirectional Solidification Furnace for Multicrystalline Silicon"
多晶硅单向凝固炉内杂质传输数值分析"
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Bing Gao;et al
- 通讯作者：et al
Analysis of local segregation of impurities at a silicon melt-crystal interface during crystal growth in transverse magnetic field-applied Czochralski method
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2009.02.041
- 发表时间：2009-04
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：K. Kakimoto;Lijun Liu
- 通讯作者：K. Kakimoto;Lijun Liu
Crystal Growth Technology
- DOI：10.1002/0470871687
- 发表时间：2003-01
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Byrappa;T. Ohachi
- 通讯作者：K. Byrappa;T. Ohachi
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01J06535 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
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13450012 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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11450001 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
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通过交替源供应 MBE 在 Si 衬底上生长 InGaN 晶体
- 批准号：
07650363 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)