刷新
{{item.name}}会员
New Technique for The Synthesis of GaN:ZnO Photocatalyst by The Use of Solid Nitrogen Sources
固体氮源合成GaN:ZnO光催化剂新技术
基本信息
- 批准号：24550232
- 负责人：
- 金额：$ 3.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
固体窒素源で合成したGaN:ZnO固溶体の構造解析と光電気化学的特性
固体氮源合成GaN:ZnO固溶体的结构分析及光电化学性能
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takahiro Kume;Shin-ichi Naya;Hiroaki Tada;川出康介，萬関一広，杉浦隆
- 通讯作者：川出康介，萬関一広，杉浦隆
固体窒素源を用いるGaN合成と光電気化学特性
使用固体氮源的GaN合成和光电化学性质
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroyasu Kondo;Akira Abe;Yoshimi Ohzawa;Tsuyoshi Nakajima;Alain Tressaud;松浦 瞬, 堀井 滋, 土井俊哉;S. Horii and T. Doi;Tomoaki Watanabe;佐野達哉，萬関一広，杉浦 隆
- 通讯作者：佐野達哉，萬関一広，杉浦 隆
固体窒素源を用いた InxGa1-xN 固溶体の合成と光電気化学特性評価
固体氮源InxGa1-xN固溶体的合成及光电化学表征
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：仲拓也;萬関一広;杉浦隆
- 通讯作者：杉浦隆
固相反応を利用したGaN:ZnO固溶体の合成とその光電気化学特性評価
固相反应合成GaN:ZnO固溶体及其光电化学性能评价
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川出康介;近藤大貴;萬関一広;杉浦隆
- 通讯作者：杉浦隆
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
SUGIURA Takashi其他文献
SUGIURA Takashi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('SUGIURA Takashi', 18)}}的其他基金
Formation of Nano-Porous Structures on Oxide Semiconductor Surface by Photoetching Technique
利用光刻技术在氧化物半导体表面形成纳米多孔结构
- 批准号：
18560653 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Photoelectrochemical Designing of Nano-Porous Structures on TiO_2 Electrode and its Application to Gas Sensor
TiO_2电极纳米多孔结构的光电化学设计及其在气体传感器中的应用
- 批准号：
14550787 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Microfabrication of Semiconductor Surface by Photoelectrochemical Etching Technique
光电化学刻蚀技术半导体表面微加工
- 批准号：
11650843 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SURFACE PROCCESSING OF SEMICONDUCTOR BY THE USE OF PHOTOELECTROCHEMICAL TECHNIQUE
利用光电化学技术对半导体进行表面处理
- 批准号：
07650781 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
ナトリウムフラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の成長界面による低転位化
使用钠熔剂法降低氮化镓晶体生长界面的位错
- 批准号：
24KJ1636 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率
- 批准号：
24K00934 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光電気化学反応を利用した環境調和性に優れた高能率窒化ガリウム表面研磨技術の実現
利用光电化学反应实现高效环保的氮化镓表面抛光技术
- 批准号：
24KJ1642 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
絶縁ゲート界面とその電子輸送特性制御に基づく窒化ガリウム系トランジスタの高安定化
基于绝缘栅界面及其电子传输特性控制的氮化镓晶体管高稳定性
- 批准号：
23KJ0042 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウムを用いた相補型MOSの作製プロセスに関する研究
氮化镓互补MOS制造工艺研究
- 批准号：
23KJ1098 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウム中の真性点欠陥が形成する準位およびアニール挙動の統一的モデル確立
氮化镓本征点缺陷形成能级统一模型及退火行为的建立
- 批准号：
23KJ1107 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナトリウムフラックス法を用いた高品質窒化ガリウム結晶の高速成長
采用钠助熔剂法高速生长高质量氮化镓晶体
- 批准号：
22KJ2126 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
通信機の超低消費電力化に向けた窒化ガリウム系高周波トランジスタの開発
开发用于通信设备超低功耗的氮化镓基高频晶体管
- 批准号：
22KJ1532 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究
氮化镓MOS器件载流子散射机制研究
- 批准号：
23K13367 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
耐放射線窒化ガリウム電子デバイス実現に向けた放射線誘起欠陥と素子特性劣化の解明
阐明辐射引起的缺陷和器件特性恶化，以实现抗辐射氮化镓电子器件
- 批准号：
22KJ1583 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows