New Technique for The Synthesis of GaN:ZnO Photocatalyst by The Use of Solid Nitrogen Sources
New Technique for The Synthesis of GaN:ZnO Photocatalyst by The Use of Solid Nitrogen Sources
批准号:
24550232
负责人:
SUGIURA Takashi
金额:
$3.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31
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固体窒素源で合成したGaN:ZnO固溶体の構造解析と光電気化学的特性
固体氮源合成GaN:ZnO固溶体的结构分析及光电化学性能
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Takahiro Kume, Shin-ichi Naya, Hiroaki Tada, 川出康介,萬関一広,杉浦隆]
通讯作者:
川出康介,萬関一広,杉浦隆
固体窒素源を用いるGaN合成と光電気化学特性
使用固体氮源的GaN合成和光电化学性质
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroyasu Kondo, Akira Abe, Yoshimi Ohzawa, Tsuyoshi Nakajima, Alain Tressaud, 松浦 瞬, 堀井 滋, 土井俊哉, S. Horii and T. Doi, Tomoaki Watanabe, 佐野達哉,萬関一広,杉浦 隆]
通讯作者:
佐野達哉,萬関一広,杉浦 隆
固体窒素源を用いた InxGa1-xN 固溶体の合成と光電気化学特性評価
固体氮源InxGa1-xN固溶体的合成及光电化学表征
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[仲拓也, 萬関一広, 杉浦隆]
通讯作者:
杉浦隆
固相反応を利用したGaN:ZnO固溶体の合成とその光電気化学特性評価
固相反应合成GaN:ZnO固溶体及其光电化学性能评价
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[川出康介, 近藤大貴, 萬関一広, 杉浦隆]
通讯作者:
杉浦隆
Formation of Nano-Porous Structures on Oxide Semiconductor Surface by Photoetching Technique
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批准号:18560653
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.27万
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财政年份:2006
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负责人:SUGIURA Takashi
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依托单位:
Photoelectrochemical Designing of Nano-Porous Structures on TiO_2 Electrode and its Application to Gas Sensor
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批准号:14550787
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2002
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负责人:SUGIURA Takashi
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依托单位:
Microfabrication of Semiconductor Surface by Photoelectrochemical Etching Technique
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批准号:11650843
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1999
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负责人:SUGIURA Takashi
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依托单位:
SURFACE PROCCESSING OF SEMICONDUCTOR BY THE USE OF PHOTOELECTROCHEMICAL TECHNIQUE
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批准号:07650781
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1995
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负责人:SUGIURA Takashi
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依托单位:
海外基金