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New Technique for The Synthesis of GaN:ZnO Photocatalyst by The Use of Solid Nitrogen Sources

New Technique for The Synthesis of GaN:ZnO Photocatalyst by The Use of Solid Nitrogen Sources
固体氮源合成GaN:ZnO光催化剂新技术
批准号:
24550232
负责人:
SUGIURA Takashi
金额:
$3.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31

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DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [Takahiro Kume, Shin-ichi Naya, Hiroaki Tada, 川出康介,萬関一広,杉浦隆]
通讯作者: 川出康介,萬関一広,杉浦隆
固体窒素源を用いるGaN合成と光電気化学特性
使用固体氮源的GaN合成和光电化学性质
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [Hiroyasu Kondo, Akira Abe, Yoshimi Ohzawa, Tsuyoshi Nakajima, Alain Tressaud, 松浦 瞬, 堀井 滋, 土井俊哉, S. Horii and T. Doi, Tomoaki Watanabe, 佐野達哉,萬関一広,杉浦 隆]
通讯作者: 佐野達哉,萬関一広,杉浦 隆
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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [仲拓也, 萬関一広, 杉浦隆]
通讯作者: 杉浦隆
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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [川出康介, 近藤大貴, 萬関一広, 杉浦隆]
通讯作者: 杉浦隆
Formation of Nano-Porous Structures on Oxide Semiconductor Surface by Photoetching Technique
  • 批准号:
    18560653
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.27万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    SUGIURA Takashi
  • 依托单位:
Photoelectrochemical Designing of Nano-Porous Structures on TiO_2 Electrode and its Application to Gas Sensor
  • 批准号:
    14550787
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.3万
  • 财政年份:
    2002
  • 负责人:
    SUGIURA Takashi
  • 依托单位:
Microfabrication of Semiconductor Surface by Photoelectrochemical Etching Technique
  • 批准号:
    11650843
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.24万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    SUGIURA Takashi
  • 依托单位:
SURFACE PROCCESSING OF SEMICONDUCTOR BY THE USE OF PHOTOELECTROCHEMICAL TECHNIQUE
  • 批准号:
    07650781
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    SUGIURA Takashi
  • 依托单位:
海外基金