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Study of all nitride gate stack with Metal and Insulator HfNx for high mobility channel
高迁移率沟道金属和绝缘体HfNx全氮化物栅叠层的研究
基本信息
- 批准号：24560390
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Solid phase epitaxy of GeSn alloys on silicon and integration in MOSFET devices
GeSn 合金在硅上的固相外延及其在 MOSFET 器件中的集成
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ruben R. Lieten;Tatsuro Maeda;Jin Won Seo;Wipakorn Jevasuwan;Hiroyuki Hattori;Noriyuki Uchida;Shu Miura;Masatoshi Tanaka;Claudia Fleischmanna;Andre Vantomme;Brett C. Johnson;Jean-Pierre Locquet
- 通讯作者：Jean-Pierre Locquet
窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge半导体MIS结构
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三浦 脩;田中 正俊;安田 哲二;前田 辰郎
- 通讯作者：前田 辰郎
窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
控制氮成分的高迁移率沟道材料金属HfN/绝缘HfNx/半导体MIS结构研究
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三浦 脩;田中 正俊;安田 哲二;前田 辰郎
- 通讯作者：前田 辰郎
金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究
金属HfN/绝缘HfNx全氮化物Ge栅叠层的研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三浦 脩;田中 正俊;安田 哲二;前田 辰郎
- 通讯作者：前田 辰郎
窒素組成制御による 金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究
控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge MIS结构
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三浦 脩;田中 正俊;安田 哲二;前田 辰郎
- 通讯作者：前田 辰郎
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MAEDA Tatsuro其他文献
SWIR Detection of Front Side Illumination InGaAs PhotoFETs on Si Substrate through Layer Transfer Technology
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- 批准号：
24520455 - 财政年份：2012
- 资助金额：
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23K22794 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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多晶Ge物理性能评价及器件应用pn结形成技术构建
- 批准号：
23K13674 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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开发结型Ge探测器二维结构实现超高灵敏度中远红外传感器
- 批准号：
23H01223 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
アニオン種の光励起を基軸とした14族元素化合物の新規合成法の開発
开发基于阴离子光激发的14族元素化合物新合成方法
- 批准号：
22KJ1145 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
On-demand preparation of heteroatom radical species
按需制备杂原子自由基物种
- 批准号：
23K13741 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Exploring spin coherence engineering in group IV semiconductor quantum structures
探索 IV 族半导体量子结构中的自旋相干工程
- 批准号：
23H05455 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
二维锗晶体异质结构形成及电子性质控制
- 批准号：
22H01524 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)