Study of all nitride gate stack with Metal and Insulator HfNx for high mobility channel
Study of all nitride gate stack with Metal and Insulator HfNx for high mobility channel
高迁移率沟道金属和绝缘体HfNx全氮化物栅叠层的研究
批准号：
24560390
负责人：
MAEDA Tatsuro
金额：
$3.49万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Solid phase epitaxy of GeSn alloys on silicon and integration in MOSFET devices
GeSn 合金在硅上的固相外延及其在 MOSFET 器件中的集成
GeSn 合金在硅上的固相外延及其在 MOSFET 器件中的集成
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Ruben R. Lieten, Tatsuro Maeda, Jin Won Seo, Wipakorn Jevasuwan, Hiroyuki Hattori, Noriyuki Uchida, Shu Miura, Masatoshi Tanaka, Claudia Fleischmanna, Andre Vantomme, Brett C. Johnson, Jean-Pierre Locquet]
通讯作者：
Jean-Pierre Locquet
窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge半导体MIS结构
控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge半导体MIS结构
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎]
通讯作者：
前田 辰郎
窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
控制氮成分的高迁移率沟道材料金属HfN/绝缘HfNx/半导体MIS结构研究
控制氮成分的高迁移率沟道材料金属HfN/绝缘HfNx/半导体MIS结构研究
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎]
通讯作者：
前田 辰郎
金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究
金属HfN/绝缘HfNx全氮化物Ge栅叠层的研究
金属HfN/绝缘HfNx全氮化物Ge栅叠层的研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
第19回ゲートスタック研究会（主催 応用物理学会薄膜・表面物理分科会，シリコンテクノロジー分科会）
影响因子：
--
作者：
[三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎]
通讯作者：
前田 辰郎
窒素組成制御による 金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究
控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge MIS结构
控制氮成分研究金属HfN/绝缘HfNx/Ge MIS结构
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
第18回ゲートスタック研究会
影响因子：
--
作者：
[三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎]
通讯作者：
前田 辰郎
共 6 条
Language Attitudes of "Dialect Correction" generation in the Amami.
-
批准号：24520455
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.91万
-
财政年份：2012
-
负责人：MAEDA Tatsuro
-
依托单位：
海外基金