The relation between the fracture toughness value and the nature of Si shuffle and glide dislocations around DBTT

断裂韧性值与 DBTT 周围 Si 洗牌和滑移位错性质之间的关系

• 批准号: 24560803
• 负责人: SAKA Hiroyasu
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560803/
• 关键词: 破壊靭性値; 格子欠陥

项目成果

Si単結晶の曲げおよび疲労挙動

硅单晶的弯曲和疲劳行为

• 发表时间: 2014
• 作者: 倉田和也;高木誠;松室昭仁;岩田博之;坂公恭
• 通讯作者: 坂公恭

その場加熱実験と環境電子顕微鏡法

原位加热实验和环境电子显微镜

• 发表时间: 2014
• 期刊: 軽金属
• 作者: 佐々木勝寛;荒井重勇;着本享;坂 公恭
• 通讯作者: 坂 公恭

種々の環境下におけるSi単結晶のマイクロトライボロジー

不同环境下硅单晶的微观摩擦学

• 发表时间: 2014
• 作者: 水流一平;高木誠;松室昭仁;岩田博之;坂公恭
• 通讯作者: 坂公恭

Inclination of a threading dislocation in an epilayer of 4H-SiC

• DOI: 10.7567/jjap.53.111302
• 发表时间: 2014-11-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 1.5
• 作者: Saka, Hiroyasu;Watanabe, Hiroki;Onda, Shoichi
• 通讯作者: Onda, Shoichi

Transmission electron microscope study of a threading dislocation with b=[0001]+<1-100> and its effect on leakage in a 4H-SiC MOSFET

b=[0001] <1-100> 的穿透位错的透射电子显微镜研究及其对 4H-SiC MOSFET 泄漏的影响

• DOI: 10.1080/09500839.2013.798047
• 发表时间: 2013
• 期刊: Philosophical Magazine Letters
• 影响因子: 1.2
• 作者: Onda;Shoichi; Watanabe;Hiroki; Kito;Yasuo; Kondo;Hiroyuki; Uehigashi;Hideyuki; Hosokawa;Norikazu; Hisada;Yoshiyuki; Shiraishi;Kenji; Saka;Hiroyasu
• 通讯作者: Hiroyasu