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Interaction of coimplanted heterogeneous dopants in semiconductor materials investigated using three-dimensional atom probe

使用三维原子探针研究半导体材料中共注入异质掺杂剂的相互作用

基本信息

批准号：
24760246
负责人：
SHIMIZU Yasuo
金额：
$ 2.91万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

Coimplantation of heterogeneous dopants into semiconductors for shallow junction formation has recently been attracting much attention for realizing continuous shrinkage of large-scale integration. In this study, the behavior of coimplanted carbon and boron atoms in silicon substrates is investigated. The carbon-boron coclusters formed by annealing were directly observed by three-dimensional atom probe. In combination with carrier concentration profiles obtained by spreading resistance measurements, it is found that the carbon coimplantation leads to the decrease of boron electrical activation, whereas boron diffusion is suppressed by the presence of carbon atoms. For calibrating the three-dimensional reconstructed images obtained by the atom probe, isotopic multilayer samples fabricated via atomic-layer deposition were employed.

近年来，异质掺杂共注入半导体形成浅结以实现大规模集成电路的连续收缩成为研究热点。在这项研究中，共注入碳和硼原子在硅衬底中的行为进行了研究。用三维原子探针直接观察了退火形成的碳硼共团簇。结合扩展电阻测量获得的载流子浓度分布，发现碳共注入导致硼电激活的减少，而硼扩散被抑制的碳原子的存在。为了校准由原子探针获得的三维重建图像，采用通过原子层沉积制造的同位素多层样品。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

３次元アトムプローブによる半導体デバイス中のドーパント分布解析

使用 3D 原子探针分析半导体器件中的掺杂剂分布

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Takamizawa;Y. Shimizu;K. Inoue;F. Yano;and Y. Nagai;清水康雄
通讯作者：
清水康雄

Tomographic study of spatial resolution in laser-assisted atom probe using semiconductor isotopic heterostructures

使用半导体同位素异质结构的激光辅助原子探针空间分辨率的层析成像研究

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Shimizu;H. Takamizawa;Y. Kawamura;M. Uematsu;K. M. Itoh;T. Toyama;and Y. Nagai
通讯作者：
and Y. Nagai

Atomic-scale characterization of germanium isotopic multilayers by atom probe tomography

通过原子探针断层扫描对锗同位素多层膜进行原子尺度表征

DOI：
10.1063/1.4773675
发表时间：
2013
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Y. Shimizu;H. Takamizawa;Y. Kawamura;M. Uematsu;T. Toyama;K. Inoue;E.. E.. Haller;K. M. Itoh;Y. Nagai
通讯作者：
Y. Nagai

Elemental Distribution Analysis of Semiconductor Nanostructures with Atom Probe Tomography

利用原子探针断层扫描技术分析半导体纳米结构的元素分布

DOI：
10.3131/jvsj2.56.340
发表时间：
2013
期刊：
Journal of the Vacuum Society of Japan
影响因子：
0
作者：
清水康雄;井上耕治;高見澤悠;矢野史子;永井康介
通讯作者：
永井康介

レーザー３次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析

使用激光三维原子探针分析半导体材料中的掺杂剂分布

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
日本物理学会誌
影响因子：
0
作者：
井上耕治;清水康雄;高見澤悠
通讯作者：
高見澤悠

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尾﨑真理