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Lasergetriebene Manipulation von Adsorbaten auf nicht-rigiden Oberflächen: H:Si als Modellsystem

非刚性表面上吸附物的激光驱动操纵：H:Si 作为模型系统

基本信息

批准号：
5421790
负责人：
Professor Dr. Peter Saalfrank
金额：
--
依托单位：
Lehrstuhl für Theoretische Chemie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2003
资助国家：
德国
起止时间：
2002-12-31 至 2011-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5421790?language=en
关键词：
Lasergetriebene Manipulation von Adsorbaten auf

项目摘要

Wenn Wasserstoff auf einer Siliziumoberfläche adsorbiert, so entsteht ein System von beträchtlichem praktischen Interesse - etwa für die Passivierung von Halbleiteroberflächen in der Mikrochipherstellung - welches aber gleichzeitig ein hochinteressantes "Mikrolabor" für die Grundlagenforschung darstellt. In diesem Projekt interessieren wir uns für die gezielte laserinduzierte Manipulation des Adsorbats (Wasserstoff) auf einer Si(100)-Oberfläche, speziell für (1) die Vibrationsanregung der H-Si-Bindung durch IR-Pulse bei gleichzeitiger Relaxation, (2) Photodesorption von H mittels IR und/oder UV-Pulsen, und (3) die laterale Verschiebung von H-Atomen auf der Oberfläche. Mit Hilfe quantenmechanischer Methoden (ab initio Quantenchemie, Wellenpaketdyanmik, Dichtematrixtheorie offener Quantensysteme) soll v.a. die Dynamik dieser Prozesse möglichst parameterfrei und unter Berücksichtigung der Ankopplung des Adsorbats an die Gitterschwingungen des Substrats studiert werden. Die Behandlung der Adsorbatdynamik auf solchen nicht-rigiden Oberflächen verlangt als starke methodische Komponente die Weiterentwicklung multidimensionaler quantendynamischer Verfahren.

当Wasserstoff auf einer Siliziumoberfläche吸附，所以entsteht in System von beträchtlichem praktischen Interesse - etwa fere die Passivierung von Halbleiteroberflächen in der microchipherstellung - welches aber gleichzeitig ein hochinteressantes " microlabor " fre die Grundlagenforschung darstellt。在diesem Projekt interessieren wir uns中，r die gezielte laserinduzierte Manipulation des (Wasserstoff) auf iner Si(100)-Oberfläche, speziell f<e:1> r (1) die Vibrationsanregung der H-Si- binindung durch IR- pulse bei gleichzeitiger Relaxation, (2) von H mittelels IR und/oder UV-Pulsen, and (3) die侧向Verschiebung von H- atomen auf der Oberfläche。Mit Hilfe量子力学方法（ab initio Quantenchemie, Wellenpaketdyanmik, dichtritritheorie offener Quantensysteme）， s.p.a die Dynamik dieserprozesse möglichst参数分析，并在berksicsictigung der Ankopplung des and die Gitterschwingungen des studiert werden下进行。Die Behandlung der Adsorbatdynamik auf solchen nicht- rigen Oberflächen verlangt als starke methodische Komponente Die Weiterentwicklung multidimensionaler quantendynamischer Verfahren。