Simulation of physical properties of graphene induced by substrates

基材诱导石墨烯物理性质的模拟

基本信息

  • 批准号:
    25390008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
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专利数量(0)
GaN中ミュオニウムの超微細構造:第一原理計算
GaN 中 μ 的超精细结构:第一性原理计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    見波将,斎藤峯雄;石井史之;籾田浩義;小口多美夫
  • 通讯作者:
    小口多美夫
Vibrational Effect on the Concentration of Silicon Monovacancies
振动对硅单空位浓度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sholihun;Fumiyuki Ishii;and Mineo Saito;Moh Adhib Ulil Absor,Fumiyuki Ishii,Hiroki Kotaka,and Mineo Saito;Sholihun,Mineo Saito;河渡祐里子,斎藤峯雄;白尾巧輔,河渡祐里子,Dinan Andiwijaya Kusuma,石井史之A,斎藤峯雄A;西田美穂,石井史之A,小鷹浩毅A,斎藤峯雄;Moh Adhib Ulil Absor,Hiroki Kotaka,Fumiyuki Ishii,and Mineo Saito;Patricia Lubis and Mineo Saito;Sholihun,Mineo Saito
  • 通讯作者:
    Sholihun,Mineo Saito
六員環構造を持つ層状物質の電子状態計算
六元环结构层状材料的电子结构计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sholihun;Fumiyuki Ishii;and Mineo Saito;Moh Adhib Ulil Absor,Fumiyuki Ishii,Hiroki Kotaka,and Mineo Saito;Sholihun,Mineo Saito;河渡祐里子,斎藤峯雄;白尾巧輔,河渡祐里子,Dinan Andiwijaya Kusuma,石井史之A,斎藤峯雄A;西田美穂,石井史之A,小鷹浩毅A,斎藤峯雄;Moh Adhib Ulil Absor,Hiroki Kotaka,Fumiyuki Ishii,and Mineo Saito;Patricia Lubis and Mineo Saito;Sholihun,Mineo Saito;冨田涼介,大嶋寛之,斎藤峯雄
  • 通讯作者:
    冨田涼介,大嶋寛之,斎藤峯雄
First principles calculation of the PCBM on the TiO 2 anatase (001) surface
TiO 2 锐钛矿(001)表面PCBM的第一性原理计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kiyotaka Fujino;Mineo Saito
  • 通讯作者:
    Mineo Saito
GaN中水素不純物の電子構造計算
GaN中氢杂质的电子结构计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白尾巧輔,河渡祐里子,Dinan Andiwijaya Kusuma,石井史之;斎藤峯雄
  • 通讯作者:
    斎藤峯雄
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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(111) MgO基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性
(111) MgO基板上形成的β-Ga2O3薄膜的晶体取向
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tanaka Yuto;Saito Mineo;Ishii Fumiyuki;中込真二,安田隆,國分義弘
  • 通讯作者:
    中込真二,安田隆,國分義弘
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
量产SiC-MOSFET的超高能离子诱导击穿电阻评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    牧野 高紘
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Syaputra Marhamni;Saito Mineo
  • 通讯作者:
    Saito Mineo
Analysis of band structures of phosphorene and bismuthene based on the double group theory
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Widianto Muhammad Yusuf Hakim;Saito Mineo
  • 通讯作者:
    Saito Mineo
強収束ラティスにおける低次コヒーレント振動モードの直接的チューン計測
强收敛晶格中低阶相干振动模式的直接调谐测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tanaka Yuto;Saito Mineo;Ishii Fumiyuki;中込真二,安田隆,國分義弘;KenjiO hoyama;伊藤清一,倉内太道,檜垣浩之,岡本宏己
  • 通讯作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
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  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2016
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    10J00785
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
自己集合半導体単一量子ドットにおける光励起核スピン分極の双安定特性の研究
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 3.16万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
原子層制御蒸着法および局所磁性測定法を用いた高スピン分極合金の探索
利用原子层控制沉积法和局域磁测量法寻找高自旋极化合金
  • 批准号:
    20042007
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ホイスラー合金系ハーフメタル材料のフェルミ準位制御による室温高スピン分極率の実現
通过控制Heusler合金半金属材料的费米能级实现室温高自旋极化率
  • 批准号:
    19860005
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
高スピン分極率を有するホイスラー合金薄膜の構造と磁気・伝導特性
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  • 批准号:
    18760537
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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