Low temperature synthesis of a Mg2Si thin film with help of plasma
Low temperature synthesis of a Mg2Si thin film with help of plasma
等离子体辅助低温合成 Mg2Si 薄膜
批准号：
25400530
负责人：
IKEHATA TAKASHI
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
サファイア基板上Mg/Si共堆積膜のポストアニールによるMg2Si膜固相合成
蓝宝石衬底上Mg/Si共沉积膜后退火固相合成Mg2Si薄膜
蓝宝石衬底上Mg/Si共沉积膜后退火固相合成Mg2Si薄膜
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高木雄太, 張月, 國武和広, 佐藤直幸, 池畑隆, 鵜殿治彦]
通讯作者：
鵜殿治彦
サファイア基板へのマグネシウムシリサイド薄膜固相合成
蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成
蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[武和広, 高木雄太, 張 月, 西城 要, 石村洋彦, 佐藤直幸, 池畑 隆, 鵜殿治彦]
通讯作者：
鵜殿治彦
熱電半導体Mg2Si膜の固相合成と微細構造解析
热电半导体Mg2Si薄膜的固相合成及微观结构分析
热电半导体Mg2Si薄膜的固相合成及微观结构分析
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本拓哉, 高木雄太, 張月, 國武和広, 佐藤直幸, 鵜殿治彦, 池畑隆]
通讯作者：
池畑隆
サファイア基板へのマグネシウムシリサイド薄膜固 相合成 - 第二報
蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成-第二份报告
蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成-第二份报告
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西城要,國武和広,笹島良太,河原航, 高木雄太,佐藤直幸,池畑隆,鵜殿治彦]
通讯作者：
高木雄太,佐藤直幸,池畑隆,鵜殿治彦
減圧雰囲気におけるイオナイザ除電器の挙動
离子发生器静电消除器在减压气氛中的行为
离子发生器静电消除器在减压气氛中的行为
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[池畑隆, 根本大輔, 賀婉テイ, 松尾武, 佐藤直幸, 岡野一雄]
通讯作者：
岡野一雄
共 14 条
海外基金