刷新
{{item.name}}会员
Low temperature synthesis of a Mg2Si thin film with help of plasma
等离子体辅助低温合成 Mg2Si 薄膜
基本信息
- 批准号：25400530
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
サファイア基板上Mg/Si共堆積膜のポストアニールによるMg2Si膜固相合成
蓝宝石衬底上Mg/Si共沉积膜后退火固相合成Mg2Si薄膜
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高木雄太;張月;國武和広;佐藤直幸;池畑隆;鵜殿治彦
- 通讯作者：鵜殿治彦
サファイア基板へのマグネシウムシリサイド薄膜固相合成
蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：武和広;高木雄太;張 月;西城 要;石村洋彦;佐藤直幸;池畑 隆;鵜殿治彦
- 通讯作者：鵜殿治彦
熱電半導体Mg2Si膜の固相合成と微細構造解析
热电半导体Mg2Si薄膜的固相合成及微观结构分析
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山本拓哉;高木雄太;張月;國武和広;佐藤直幸;鵜殿治彦;池畑隆
- 通讯作者：池畑隆
サファイア基板へのマグネシウムシリサイド薄膜固 相合成 - 第二報
蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成-第二份报告
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：西城要,國武和広,笹島良太,河原航;高木雄太,佐藤直幸,池畑隆,鵜殿治彦
- 通讯作者：高木雄太,佐藤直幸,池畑隆,鵜殿治彦
減圧雰囲気におけるイオナイザ除電器の挙動
离子发生器静电消除器在减压气氛中的行为
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：池畑隆;根本大輔;賀婉テイ;松尾武;佐藤直幸;岡野一雄
- 通讯作者：岡野一雄
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
IKEHATA TAKASHI其他文献
IKEHATA TAKASHI的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
高性能熱電半導体を実現する新奇なバンド構造設計技術の開発
开发新型能带结构设计技术以实现高性能热电半导体
- 批准号：
24K08079 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
かご状構造を持つ熱電半導体を用いた新奇なエネルギー散逸機構の発現・制御の検討
笼状结构热电半导体新型能量耗散机制的开发与控制研究
- 批准号：
20K05133 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation and comprehensive exploration of high performance thermoelectric semiconductor utilizing natural quantum structure of layered transition metal compound
利用层状过渡金属化合物天然量子结构的高性能热电半导体的创制与综合探索
- 批准号：
19H02425 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Realization of quantum well structure in bulk thermoelectric semiconductor by control of the formation of stacking fault in SiC
通过控制SiC中堆垛层错的形成实现体热电半导体中的量子阱结构
- 批准号：
24686078 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Research on nano-microstructure control of the thermoelectric semiconductor by a solid phase process
固相过程热电半导体纳米微结构控制研究
- 批准号：
15560613 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
フォノン物性制御による高効率熱電半導体の開発研究
控制声子物理性质研发高效热电半导体
- 批准号：
13750636 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
高性能熱電特性を目指したナノ構造熱電半導体材料の開発とその量子サイズ効果探索
以高性能热电性能为目标的纳米结构热电半导体材料的开发及其量子尺寸效应的探索
- 批准号：
01F00187 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピネル型結晶構造を有する高温酸化物熱電半導体の開発
尖晶石型晶体结构高温氧化物热电半导体的研制
- 批准号：
08650784 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高性能鉄ケイ化物熱電半導体中の不純物原子挙動と熱電特性
高性能硅化铁热电半导体中的杂质原子行为和热电性能
- 批准号：
06750681 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ホウ素正20面体を有する高級ホウ化物結晶の合成と熱電半導体材料の開発
硼二十面体高品级硼化物晶体的合成及热电半导体材料的开发
- 批准号：
04650709 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)