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Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM

Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM
利用原位 TEM-STM 研究电阻式 RAM 的开关机制
批准号：
25420279
负责人：
Arita Masashi
金额：
$3.33万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420279/
关键词：
抵抗変化メモリ電子顕微鏡電子・電気材料電子デバイス・機器ナノ材料

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期刊：
影响因子： --
作者： [中川 良祐, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫]
通讯作者： 高橋 庸夫
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发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Arita, Y. Ohno, M. Kudo, Y. Murakami, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, 村上暢介，米坂瞭太，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫]
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通讯作者： 有田正志，大野裕輝，工藤昌輝，高橋庸夫
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发表时间： 2014
期刊：
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作者： [米坂 瞭太, 越智隼人, 村上暢介, 有田正志, 高橋庸夫]
通讯作者： 高橋庸夫
共 82 条
    Study of electronic and spin structure in B20-type 3d transition metal monosilicide
    • 批准号：
      18K03519
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Arita Masashi
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons
    • 批准号：
      16H04339
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.98万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Arita Masashi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Study of the topological surface state in the topological Kondo insulator of rare earth hexaborides
    • 批准号：
      15K05132
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Arita Masashi
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金