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Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM

利用原位 TEM-STM 研究电阻式 RAM 的开关机制

基本信息

批准号：
25420279
负责人：
Arita Masashi
金额：
$ 3.33万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

酸素欠陥型抵抗変化メモリにおける欠陥導入層の材料選択

氧缺陷型电阻变化存储器中缺陷引入层的材料选择

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
中川良祐;福地厚;有田正志;高橋庸夫
通讯作者：
高橋庸夫

平面型抵抗変化メモリにおける導電性フィラメントと抵抗変化のTEMその場観察

平面电阻变化存储器中导电丝和电阻变化的原位TEM观察

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Arita;Y. Ohno;M. Kudo;Y. Murakami;A. Tsurumaki-Fukuchi;Y. Takahashi;村上暢介，米坂瞭太，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫
通讯作者：
村上暢介，米坂瞭太，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫

Cu/MoOx/TiN ReRAMの初期スイッチ過程における導電フィラメント

Cu/MoOx/TiN ReRAM 初始切换过程中的导电丝

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
廣井孝弘;中根明俊;福地厚;有田正志;高橋庸夫;浦邊大史;安藤秀幸;森江隆;米坂瞭太，越智隼人，村上暢介，有田正志，高橋庸夫;有田正志，大野裕輝，工藤昌輝，高橋庸夫
通讯作者：
有田正志，大野裕輝，工藤昌輝，高橋庸夫

エレクトロマイグレーションによるCuナノギャップ電極の作製と応用

电迁移铜纳米间隙电极的制备及应用

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
米坂瞭太;越智隼人;村上暢介;有田正志;高橋庸夫
通讯作者：
高橋庸夫

Dynamical observation of Cu/MoOx resistive RAM

Cu/MoOx电阻式RAM的动态观察

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masashi Arita;Masaki Kudo;Yuuki Ohno;Yosuke Murakami;and Yasuo Takahashi
通讯作者：
and Yasuo Takahashi

DOI：
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作者：
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Arita Masashi其他文献

Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films

Fe-MgF2单层颗粒薄膜单电子晶体管的电学特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
IEICE Technical Report
影响因子：
0
作者：
Asai Yuki;Honjo Shusaku ;Gyakushi　Takayuki;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
通讯作者：
Takahashi Yasuo

電子デバイスの透過電子顕微鏡オペランド解析と応用―電子顕微鏡によるその場観察―

电子器件的透射电子显微镜操作分析与应用 - 使用电子显微镜进行原位观察 -

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
応用物理学会薄膜・表面物理分科会 NEWS LETTER
影响因子：
0
作者：
Takahashi Yasuo;Uchida Takafumi;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Fujiwara Akira;K. Nagashio,;高橋庸夫，有田正志
通讯作者：
高橋庸夫，有田正志

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氧化钽电阻存储器的初始电特性受氧缺陷浓度的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/abec5e
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Li Yuanlin;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
通讯作者：
Takahashi Yasuo

Superconductivity and Fermi-surface nesting in the candidate Dirac semimetal NbC

候选狄拉克半金属 NbC 中的超导性和费米面嵌套

DOI：
10.1103/physrevb.102.205117
发表时间：
2020-10
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Yan Dayu;Geng Daiyu;Gao Qiang;Cui Zhihai;Yi Changjiang;Feng Ya;Song Chunyao;Luo Hailan;Yang Meng;Arita Masashi;Kumar Shiv;Schwier Eike F.;Shimada Kenya;Zhao Lin;Wu Kehui;Weng Hongming;Chen Lan;Zhou X. J.;Wang Zhijun;Shi Youguo;Feng Baojie
通讯作者：
Feng Baojie