Study of electronic and spin structure in B20-type 3d transition metal monosilicide
B20型3d过渡金属单硅化物中电子和自旋结构的研究
基本信息
- 批准号:18K03519
- 负责人:
- 金额:$ 2.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
縮退半導体の異常なケミカルポテンシャルシフト:角度分解光電子分光によるSnSeとSn1-xNaxSeの電子状態
简并半导体中的异常化学势变化:角分辨光电子能谱测定 SnSe 和 Sn1-xNaxSe 的电子态
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:前田瑞綺;赤羽祐香;山本健登;G. Tan;L.-D. Zhao;M.G. Kanatzidis;有田将司;生天目博文;谷口雅樹;N.L. Saini;溝川貴司
- 通讯作者:溝川貴司
Momentum Dependent Band Renormalization and Surface Aging Effect on a Zone Center Electron Pocket in NaSn2As2 Revealed by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
角分辨光电发射光谱揭示了 NaSn2As2 中区域中心电子袋的动量相关能带重正化和表面老化效应
- DOI:10.7566/jpsj.89.114707
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.7
- 作者:Akabane Yuka;Shimaiwa Taiki;Goto Yosuke;Mizuguchi Yoshikazu;Yokoya Takayoshi;Arita Masashi;Kumar Shiv;Schwier Eike F.;Shimada Kenya;Saini Naurang L.;Mizokawa Takashi
- 通讯作者:Mizokawa Takashi
Superconductivity and Fermi-surface nesting in the candidate Dirac semimetal NbC
候选狄拉克半金属 NbC 中的超导性和费米面嵌套
- DOI:10.1103/physrevb.102.205117
- 发表时间:2020-10
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Yan Dayu;Geng Daiyu;Gao Qiang;Cui Zhihai;Yi Changjiang;Feng Ya;Song Chunyao;Luo Hailan;Yang Meng;Arita Masashi;Kumar Shiv;Schwier Eike F.;Shimada Kenya;Zhao Lin;Wu Kehui;Weng Hongming;Chen Lan;Zhou X. J.;Wang Zhijun;Shi Youguo;Feng Baojie
- 通讯作者:Feng Baojie
光電子分光によるRuPの金属-非磁性絶縁体転移の観測
光电子能谱观察 RuP 中金属-非磁性绝缘体转变
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大槻太毅;澤田慶;柴田大輔;川本雅人;吉田鉄平;N. L. Saini;溝川貴司;後藤広樹;小西健久;太田幸則;保井晃;池永英司;有田将司;生天目博文;谷口雅樹;平井大悟郎;高木英典
- 通讯作者:高木英典
角度分解光電子分光で観察した希薄キャリア超伝導体におけるフラットバンド構造(
通过角分辨光电子能谱观察稀载流子超导体的平带结构(
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:秋元優紀;黒田健太;越智正之;川口海周;櫻木俊輔;新井陽介;万宇軒;黒川輝風;田中宏明;有田将司;出田真一郎;田中清尚;辛埴;平井大悟郎;廣井善二;山田高広;近藤猛
- 通讯作者:近藤猛
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Arita Masashi其他文献
Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films
Fe-MgF2单层颗粒薄膜单电子晶体管的电学特性
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Asai Yuki;Honjo Shusaku ;Gyakushi Takayuki;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo - 通讯作者:
Takahashi Yasuo
電子デバイスの透過電子顕微鏡オペランド解析と応用―電子顕微鏡によるその場観察―
电子器件的透射电子显微镜操作分析与应用 - 使用电子显微镜进行原位观察 -
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Takahashi Yasuo;Uchida Takafumi;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Fujiwara Akira;K. Nagashio,;高橋庸夫,有田 正志 - 通讯作者:
高橋庸夫,有田 正志
Initial electrical properties of tantalum oxide resistive memories influenced by oxygen defect concentrations
氧化钽电阻存储器的初始电特性受氧缺陷浓度的影响
- DOI:
10.35848/1347-4065/abec5e - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Li Yuanlin;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo - 通讯作者:
Takahashi Yasuo
EELS Analysis of Oxygen Scavenging Effect in a Resistive Switching Structure of Pt/Ta/SrTiO3/Pt
Pt/Ta/SrTiO3/Pt 阻变结构的除氧效应的 EELS 分析
- DOI:
10.1557/adv.2018.12 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0.8
- 作者:
Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Nakagawa Ryosuke;Arita Masashi;Takahashi Yasuo - 通讯作者:
Takahashi Yasuo
"Pinpoint pick up and bubble free transfer in 2D heterostructure fabrication"
“二维异质结构制造中的精确拾取和无气泡转移”
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Takahashi Yasuo;Uchida Takafumi;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Fujiwara Akira;K. Nagashio, - 通讯作者:
K. Nagashio,
Arita Masashi的其他文献
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{{ truncateString('Arita Masashi', 18)}}的其他基金
Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons
使用原位 TEM 研究 ReRAM 电路操作以开发人工神经元
- 批准号:
16H04339 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of the topological surface state in the topological Kondo insulator of rare earth hexaborides
六硼化稀土拓扑近藤绝缘体拓扑表面态研究
- 批准号:
15K05132 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM
利用原位 TEM-STM 研究电阻式 RAM 的开关机制
- 批准号:
25420279 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Odd-parity multipole order and unusual ordering in Kondo semiconductor
近藤半导体中的奇宇称多极有序和异常有序
- 批准号:
17K05546 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
High transition temperature in antiferromagnetic Cerium Kondo semiconductor
反铁磁铈近藤半导体的高转变温度
- 批准号:
15K05180 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
An approach from high pressure and high temperature method in order to clarify the mechanism of Kondo semiconductor with novel antiferromagnetic properties.
采用高压和高温方法来阐明具有新颖反铁磁特性的近藤半导体的机理。
- 批准号:
15K17687 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Studies of the anomalous antiferromagnetic order of the Kondo semiconductor Ce1-2-10 compounds
近藤半导体Ce1-2-10化合物反铁磁反常有序的研究
- 批准号:
15K05173 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
セリウム近藤半導体の異方的なギャップ構造と特異な磁気秩序の相間
近藤铈半导体中的各向异性间隙结构和独特的磁序相
- 批准号:
15J01007 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Research on unusual antiferromagnetic order in Kondo semiconductor and exploring of novel ordered phase in low-symmetry structure
近藤半导体异常反铁磁有序研究及低对称结构新型有序相探索
- 批准号:
26800188 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Investigation of the ground state of the novel Kondo semiconductor CeRu2Al10 showing the magnetic order
研究新型近藤半导体 CeRu2Al10 的基态,显示磁序
- 批准号:
24540376 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study of novelphase transition on the anisotropic Kondo semiconductor with caged structure
笼形结构各向异性近藤半导体新型相变研究
- 批准号:
23840033 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
100テスラ強磁場下での近藤半導体イッテルビウム12ホウ化物の磁気応答探究
近藤半导体硼化镱在100特斯拉强磁场下的磁响应探索
- 批准号:
20030006 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
近藤半導体イッテルビウム十二ホウ化物の強滋場誘起磁気秩序と金属非金属転移
近藤半导体十二硼化镱中的强场感应磁序和金属-非金属转变
- 批准号:
18044007 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas