Study of the topological surface state in the topological Kondo insulator of rare earth hexaborides

六硼化稀土拓扑近藤绝缘体拓扑表面态研究

基本信息

  • 批准号：
    15K05132
  • 负责人：
    Arita Masashi
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Hiroshima University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Alkali-metal induced band structure deformation investigated by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations
  • DOI：
    10.1103/physrevb.97.155423
  • 发表时间：
    2018-04-20
  • 期刊：
    PHYSICAL REVIEW B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Ito, S.;Feng, B.;Matsuda, I.
  • 通讯作者：
    Matsuda, I.
Sm1-xYbxB6の角度分解光電子分光
Sm1-xYbxB6 的角分辨光电子能谱
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    有田将司;佐藤仁;島田賢也;生天目博文;谷口雅樹 谷田博司;平野航;小山内湧人;林健人;伊賀文俊
  • 通讯作者：
    伊賀文俊
Experimental observation of node-line-like surface states in LaBi
LaBi中节点线状表面态的实验观察
  • DOI：
    10.1103/physrevb.97.155153
  • 发表时间：
    2018-04-25
  • 期刊：
    PHYSICAL REVIEW B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Feng, Baojie;Cao, Jin;Yao, Yugui
  • 通讯作者：
    Yao, Yugui
Yb1-xTmxB6の角度分解光電子分光
Yb1-xTmxB6 的角分辨光电子能谱
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    有田将司;佐藤仁;生天目博文;谷口雅樹;伊賀文俊
  • 通讯作者：
    伊賀文俊
Angle resolved photoemission study of Sm1-xYbxB6
Sm1-xYbxB6 的角分辨光电研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Arita;H. Sato;K. Shimada;H. Namatame;M. Taniguchi H. Tanida;W. Hirano;Y. Osanai;K. Hayashi;F. Iga
  • 通讯作者：
    F. Iga
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Arita Masashi其他文献

Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films
Fe-MgF2单层颗粒薄膜单电子晶体管的电学特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    IEICE Technical Report
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Asai Yuki;Honjo Shusaku ;Gyakushi　Takayuki;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
  • 通讯作者：
    Takahashi Yasuo
電子デバイスの透過電子顕微鏡オペランド解析と応用―電子顕微鏡によるその場観察―
电子器件的透射电子显微镜操作分析与应用 - 使用电子显微镜进行原位观察 -
Initial electrical properties of tantalum oxide resistive memories influenced by oxygen defect concentrations
氧化钽电阻存储器的初始电特性受氧缺陷浓度的影响
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/abec5e
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Li Yuanlin;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
  • 通讯作者：
    Takahashi Yasuo
Superconductivity and Fermi-surface nesting in the candidate Dirac semimetal NbC
候选狄拉克半金属 NbC 中的超导性和费米面嵌套
  • DOI：
    10.1103/physrevb.102.205117
  • 发表时间：
    2020-10
  • 期刊：
    Physical Review B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Yan Dayu;Geng Daiyu;Gao Qiang;Cui Zhihai;Yi Changjiang;Feng Ya;Song Chunyao;Luo Hailan;Yang Meng;Arita Masashi;Kumar Shiv;Schwier Eike F.;Shimada Kenya;Zhao Lin;Wu Kehui;Weng Hongming;Chen Lan;Zhou X. J.;Wang Zhijun;Shi Youguo;Feng Baojie
  • 通讯作者：
    Feng Baojie
EELS Analysis of Oxygen Scavenging Effect in a Resistive Switching Structure of Pt/Ta/SrTiO3/Pt
Pt/Ta/SrTiO3/Pt 阻变结构的除氧效应的 EELS 分析
  • DOI：
    10.1557/adv.2018.12
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    MRS Advances
  • 影响因子：
    0.8
  • 作者：
    Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Nakagawa Ryosuke;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
  • 通讯作者：
    Takahashi Yasuo

Arita Masashi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('Arita Masashi', 18)}}的其他基金

Study of electronic and spin structure in B20-type 3d transition metal monosilicide
B20型3d过渡金属单硅化物中电子和自旋结构的研究
  • 批准号：
    18K03519
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons
使用原位 TEM 研究 ReRAM 电路操作以开发人工神经元
  • 批准号：
    16H04339
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM
利用原位 TEM-STM 研究电阻式 RAM 的开关机制
  • 批准号：
    25420279
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

単原子磁石と磁気結合したトポロジカル近藤絶縁体のスピン偏極表面状態
与单原子磁体磁耦合的拓扑近藤绝缘体的自旋极化表面态
  • 批准号：
    20K21119
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
スクッテルダイト化合物における重い電子状態と近藤絶縁体状態の理論
方钴矿化合物中的重电子态和近藤绝缘体态理论
  • 批准号：
    16037204
  • 财政年份：
    2004
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高分解能光電子分光による近藤絶縁体の研究
使用高分辨率光电子能谱研究近藤绝缘体
  • 批准号：
    99J09326
  • 财政年份：
    1999
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高圧下における近藤絶縁体の輸送現象(ホール効果、電気抵抗)
高压下近藤绝缘子的输运现象（霍尔效应、电阻）
  • 批准号：
    06640484
  • 财政年份：
    1994
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
近藤絶縁体の理論
近藤绝缘体理论
  • 批准号：
    05740255
  • 财政年份：
    1993
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了