Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons

使用原位 TEM 研究 ReRAM 电路操作以开发人工神经元

基本信息

批准号：
16H04339
负责人：
Arita Masashi
金额：
$ 10.98万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

In-situElectron Microscopy of Cu Movement in MoOx/Al2O3Bilayer CBRAM during Cyclic Switching

原位电子显微镜观察循环切换过程中 MoOx/Al2O3 双层 CBRAM 中 Cu 的运动

DOI：
10.1149/08010.0903ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Ishikawa Ryusuke;Hirata Shuichiro;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo;Kudo Masaki;Matsumura Syo
通讯作者：
Matsumura Syo

Probing electrochemistry at the nanoscale: in situ TEM and STM characterizations of conducting filaments in memristive devices

纳米尺度电化学探测：忆阻器件中导电丝的原位 TEM 和 STM 表征

DOI：
10.1007/s10832-017-0069-y
发表时间：
2017-02
期刊：
Journal of Electroceramics
影响因子：
1.7
作者：
Yuchao Yang;Yasuo Takahashi;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Masashi Arita;M. Moors;M. Buckwell;A. Mehonic;A. J. Kenyon
通讯作者：
A. J. Kenyon

Microstructural Evolution during Switching Operation of Resistive RAM

电阻式 RAM 开关操作期间的微观结构演变

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Arita;A. Tsurumaki-Fukuchi;Y. Takahashi
通讯作者：
Y. Takahashi

電気特性評価用ＴＥＭその場観察システムの開発と応用

电性能评价TEM原位观察系统的研制及应用

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
有田正志，高橋庸夫
通讯作者：
有田正志，高橋庸夫

In-situ TEM法によるMoOx/Al2O3 抵抗変化メモリのデバイス劣化観察

原位TEM法观察MoOx/Al2O3阻变存储器器件劣化

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Li;R. Katsumura;M. K. Gronroos;A. Tsurumaki‐Fukuchi;M. Arita;H. Andoh;T. Morie;Y. Takahashi;石川竜介，平田周一郎，福地厚，有田正志，高橋庸夫
通讯作者：
石川竜介，平田周一郎，福地厚，有田正志，高橋庸夫

DOI：
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作者：
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Arita Masashi其他文献

Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films

Fe-MgF2单层颗粒薄膜单电子晶体管的电学特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
IEICE Technical Report
影响因子：
0
作者：
Asai Yuki;Honjo Shusaku ;Gyakushi　Takayuki;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
通讯作者：
Takahashi Yasuo

Initial electrical properties of tantalum oxide resistive memories influenced by oxygen defect concentrations

氧化钽电阻存储器的初始电特性受氧缺陷浓度的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/abec5e
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Li Yuanlin;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
通讯作者：
Takahashi Yasuo

Superconductivity and Fermi-surface nesting in the candidate Dirac semimetal NbC

候选狄拉克半金属 NbC 中的超导性和费米面嵌套

DOI：
10.1103/physrevb.102.205117
发表时间：
2020-10
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Yan Dayu;Geng Daiyu;Gao Qiang;Cui Zhihai;Yi Changjiang;Feng Ya;Song Chunyao;Luo Hailan;Yang Meng;Arita Masashi;Kumar Shiv;Schwier Eike F.;Shimada Kenya;Zhao Lin;Wu Kehui;Weng Hongming;Chen Lan;Zhou X. J.;Wang Zhijun;Shi Youguo;Feng Baojie
通讯作者：
Feng Baojie

"Pinpoint pick up and bubble free transfer in 2D heterostructure fabrication"

“二维异质结构制造中的精确拾取和无气泡转移”

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahashi Yasuo;Uchida Takafumi;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Fujiwara Akira;K. Nagashio,
通讯作者：
K. Nagashio,

Nonlinear response in strongly-correlated electron systems

强相关电子系统中的非线性响应

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akabane Yuka;Shimaiwa Taiki;Goto Yosuke;Mizuguchi Yoshikazu;Yokoya Takayoshi;Arita Masashi;Kumar Shiv;Schwier Eike F.;Shimada Kenya;Saini Naurang L.;Mizokawa Takashi;Yoshihiro Michishita
通讯作者：
Yoshihiro Michishita