课题基金 / 基金详情

Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons

Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons
使用原位 TEM 研究 ReRAM 电路操作以开发人工神经元
批准号：
16H04339
负责人：
Arita Masashi
金额：
$10.98万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H04339/
关键词：
抵抗変化メモリ電子顕微鏡電子・電気材料電子デバイス・機器ナノ材料先端機能デバイスその場計測技術

项目摘要

项目成果

Arita Masashi的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Probing electrochemistry at the nanoscale: in situ TEM and STM characterizations of conducting filaments in memristive devices
纳米尺度电化学探测：忆阻器件中导电丝的原位 TEM 和 STM 表征
DOI： 10.1007/s10832-017-0069-y
发表时间： 2017-02
期刊： Journal of Electroceramics
影响因子： 1.7
作者： [Yuchao Yang, Yasuo Takahashi, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, M. Moors, M. Buckwell, A. Mehonic, A. J. Kenyon]
通讯作者： A. J. Kenyon
電気特性評価用ＴＥＭその場観察システムの開発と応用
电性能评价TEM原位观察系统的研制及应用
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [有田正志，高橋庸夫]
通讯作者： 有田正志，高橋庸夫
Microstructural Evolution during Switching Operation of Resistive RAM
电阻式 RAM 开关操作期间的微观结构演变
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi]
通讯作者： Y. Takahashi
In-situ TEM法によるMoOx/Al2O3 抵抗変化メモリのデバイス劣化観察
原位TEM法观察MoOx/Al2O3阻变存储器器件劣化
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Li, R. Katsumura, M. K. Gronroos, A. Tsurumaki‐Fukuchi, M. Arita, H. Andoh, T. Morie, Y. Takahashi, 石川竜介，平田周一郎，福地厚，有田正志，高橋庸夫]
通讯作者： 石川竜介，平田周一郎，福地厚，有田正志，高橋庸夫
共 86 条
    Study of electronic and spin structure in B20-type 3d transition metal monosilicide
    • 批准号：
      18K03519
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Arita Masashi
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Study of the topological surface state in the topological Kondo insulator of rare earth hexaborides
    • 批准号：
      15K05132
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Arita Masashi
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM
    • 批准号：
      25420279
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Arita Masashi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金