High density holographic data storage using spherical reference wave

使用球形参考波的高密度全息数据存储

基本信息

  • 批准号:
    25420343
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Shift-peristrophic multiplexing for holographic data storage
用于全息数据存储的平移周转复用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroyuki Kurata;Jun Mori;Yu Tsukamoto;Keiko Yamamoto;Shuhei Yoshida;and Manabu Yamamoto
  • 通讯作者:
    and Manabu Yamamoto
Numerical analysis of volume holograms with spherical reference wave based on Born approximation
  • DOI:
    10.1117/12.2017279
  • 发表时间:
    2013-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Yoshida;M. Yamamoto
  • 通讯作者:
    S. Yoshida;M. Yamamoto
球面参照光における反射型媒体構成
球形参考光束中的反射介质配置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shuhei Yoshida;Hiroyuki Kurata;Shohei Ozawa;Kaito Okubo;Shuma Horiuchi;Zenta Ushiyama;Manabu Yamamoto;[1]森淳,石橋友理菜,堀内秀真,吉田周平,山本学
  • 通讯作者:
    [1]森淳,石橋友理菜,堀内秀真,吉田周平,山本学
Multi-Dimensional Shift Multiplexing Technique with Spherical Reference Waves
球面参考波多维移位复用技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shuhei Yoshida;Takaaki Matsubara;Hiroyuki Kurata;Shuma Horiuchi;and Manabu Yamamoto
  • 通讯作者:
    and Manabu Yamamoto
Fabrication of eight-step diffractive optical element for hologram-ROM
用于全息图-ROM的八步衍射光学元件的制作
  • DOI:
    10.1016/j.mee.2015.01.036
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    [2]Yuta Shinonaga;Keito Ogino;Noriyuki Unno;Shuhei Yoshida;Manabu Yamamoto
  • 通讯作者:
    Manabu Yamamoto
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

yamamoto manabu其他文献

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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