Fabrication of high-quality substrates for nitride-semiconductor-based solar cells
Fabrication of high-quality substrates for nitride-semiconductor-based solar cells
氮化物半导体太阳能电池高质量基板的制造
批准号：
25820120
负责人：
KOBAYASHI Atsushi
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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DOI：
10.1063/1.4826538
发表时间：
2013-10
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[J. Liu;A. Kobayashi;J. Ohta;H. Fujioka;M. Oshima]
通讯作者：
J. Liu;A. Kobayashi;J. Ohta;H. Fujioka;M. Oshima
DOI：
10.7567/apex.7.085502
发表时间：
2014-08
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[J. Shon;J. Ohta;K. Ueno;A. Kobayashi;H. Fujioka]
通讯作者：
J. Shon;J. Ohta;K. Ueno;A. Kobayashi;H. Fujioka
Low-temperature epitaxial growth of non/semi-polar group-III nitrides on ZnO
ZnO上非/半极性III族氮化物的低温外延生长
ZnO上非/半极性III族氮化物的低温外延生长
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Kobayashi, Tomofumi Kajima, Hiroaki Tamaki, Jituso Ohta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka]
通讯作者：
and Hiroshi Fujioka
Atomic scattering spectroscopy for determination of the polarity of semipolar AlN grown on ZnO
原子散射光谱法测定 ZnO 上生长的半极性 AlN 的极性
原子散射光谱法测定 ZnO 上生长的半极性 AlN 的极性
DOI：
10.1063/1.4829478
发表时间：
2013
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[A. Kobayashi, K. Ueno, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka]
通讯作者：
and H. Fujioka
酸化亜鉛基板上への窒化物半導体低温成長
氧化锌衬底上氮化物半导体的低温生长
氧化锌衬底上氮化物半导体的低温生长
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T Kawasaki, K Kawano, H Mizoguchi, Y Yano, K Yamashita, M Sakai, G Uchida, K Koga and M Shiratani, 小林篤，太田実雄，藤岡洋]
通讯作者：
小林篤，太田実雄，藤岡洋
共 10 条
Research on a nano-size effect of luminescent metal-complex assembly
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批准号：24750049
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2012
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负责人：KOBAYASHI Atsushi
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依托单位：
Precise hybrid synthesis of glycoprotein through amino acid sequence-specific introduction of oligosaccharide followed by enzymatic transglycosylation reaction
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批准号：22550105
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2010
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负责人：KOBAYASHI Atsushi
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依托单位：
Identification of the origin of prion infection
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批准号：20790608
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2008
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负责人：KOBAYASHI Atsushi
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依托单位：
An exploring study to find a new electronic phase in a cross-over region between one dimension and two dimension
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批准号：19750050
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.44万
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财政年份：2007
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负责人：KOBAYASHI Atsushi
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依托单位：
Design of enzymatic glycosylation reaction system toward unrecognized substrates such as macromolecules and interface.
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批准号：19750086
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.8万
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财政年份：2007
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负责人：KOBAYASHI Atsushi
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依托单位：
海外基金