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Fabrication of high-quality substrates for nitride-semiconductor-based solar cells
氮化物半导体太阳能电池高质量基板的制造
基本信息
- 批准号：25820120
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical properties of amorphous-Al2O3/single-crystal ZnO heterointerfaces
- DOI：10.1063/1.4826538
- 发表时间：2013-10
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：J. Liu;A. Kobayashi;J. Ohta;H. Fujioka;M. Oshima
- 通讯作者：J. Liu;A. Kobayashi;J. Ohta;H. Fujioka;M. Oshima
Structural properties of GaN films grown on multilayer graphene films by pulsed sputtering
- DOI：10.7567/apex.7.085502
- 发表时间：2014-08
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：J. Shon;J. Ohta;K. Ueno;A. Kobayashi;H. Fujioka
- 通讯作者：J. Shon;J. Ohta;K. Ueno;A. Kobayashi;H. Fujioka
Low-temperature epitaxial growth of non/semi-polar group-III nitrides on ZnO
ZnO上非/半极性III族氮化物的低温外延生长
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Kobayashi;Tomofumi Kajima;Hiroaki Tamaki;Jituso Ohta;Masaharu Oshima;and Hiroshi Fujioka
- 通讯作者：and Hiroshi Fujioka
Atomic scattering spectroscopy for determination of the polarity of semipolar AlN grown on ZnO
原子散射光谱法测定 ZnO 上生长的半极性 AlN 的极性
- DOI：10.1063/1.4829478
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：A. Kobayashi;K. Ueno;J. Ohta;M. Oshima;and H. Fujioka
- 通讯作者：and H. Fujioka
酸化亜鉛基板上への窒化物半導体低温成長
氧化锌衬底上氮化物半导体的低温生长
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T Kawasaki;K Kawano;H Mizoguchi;Y Yano;K Yamashita;M Sakai;G Uchida;K Koga and M Shiratani;小林篤，太田実雄，藤岡洋
- 通讯作者：小林篤，太田実雄，藤岡洋
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{{ truncateString('KOBAYASHI Atsushi', 18)}}的其他基金
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发光金属配合物组装的纳米尺寸效应研究
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使用选择性元素离子束开发薄膜生长循环系统
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$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation of the nucleation processes in thin film growth of organic semiconductors by simultaneous measurement of QCM and X-ray scattering
通过同时测量 QCM 和 X 射线散射研究有机半导体薄膜生长的成核过程
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19K05265 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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气相和固态反应薄膜生长的基础知识
- 批准号：
RGPIN-2014-04352 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Molecular dynamics simulations to elucidate the mechanism of the universal behavior of molecular assemblies observed in the processes of organic semiconductor thin film growth
分子动力学模拟阐明有机半导体薄膜生长过程中观察到的分子组装体普遍行为的机制
- 批准号：
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利用石英晶体微天平分析有机半导体薄膜生长的初始阶段
- 批准号：
17K14106 - 财政年份：2017
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$ 2.58万 - 项目类别：
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