Defect analysis in p- Diamond Layer of Diamond Power Device
金刚石功率器件p-金刚石层缺陷分析
基本信息
- 批准号:25820128
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
パワーデバイス応用を目指したウェハ・デバイスの開発課題
针对功率器件应用的晶圆和器件的开发问题
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:鹿田真一;梅澤仁;加藤有香子;山田英明;坪内信輝;杢野由明;茶谷原昭義;舟木剛
- 通讯作者:舟木剛
A 2-in. mosaic wafer made of a single-crystal diamond
- DOI:10.1063/1.4868720
- 发表时间:2014-03-10
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Yamada, H.;Chayahara, A.;Shikata, S.
- 通讯作者:Shikata, S.
X-ray Topographic Study of a Homoepitaxial Diamond Layer on an Ultraviolet-irradiated Precision Polished Substrate
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- DOI:10.12693/aphyspola.125.969
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0.7
- 作者:Yukako Kato;Hitoshi Umezawa;Shin-ichi Shikata
- 通讯作者:Shin-ichi Shikata
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- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤有香子;梅澤仁;鹿田真一
- 通讯作者:鹿田真一
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