ナノギャップシステムを用いた強磁性単電子トランジスタの開発
ナノギャップシステムを用いた強磁性単電子トランジスタの開発
利用纳米间隙系统开发铁磁单电子晶体管
批准号：
14J08599
负责人：
須田 隆太郎
金额：
$1.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-25 至 2016-03-31
中文摘要
翻译
前年度はNi系ナノギャップを利用し強磁性単電子トランジスタの室温動作を実証した。今年度は素子作製の高スループット化を視野に入れ、ナノシリコン弾道電子源を用いたプリンティング薄膜堆積法の提案と実験的･理論的検証を行った。極微量のCuCl2水溶液を塗布した基板を低気圧不活性ガス中で電子源と近接対向させ弾道電子を直接照射することにより、還元効果に基づくCu薄膜堆積現象を実証した。本手法はCuだけでなく強磁性金属にも適用できると考えられる。これらにより、常温･クリーン･低ダメージの新規固体薄膜堆積法としての有用性が明らかにされ、強磁性単電子デバイスの作製につながる微細プロセス技術を固めることができた。
英文摘要
前年度はNi系ナノギャップを利用し強磁性単電子トランジスタの室温動作を実証した。今年度は素子作製の高スループット化を視野に入れ、ナノシリコン弾道電子源を用いたプリンティング薄膜堆積法の提案と実験的･理論的検証を行った。極微量のCuCl2水溶液を塗布した基板を低気圧不活性ガス中で電子源と近接対向させ弾道電子を直接照射することにより、還元効果に基づくCu薄膜堆積現象を実証した。本手法はCuだけでなく強磁性金属にも適用できると考えられる。これらにより、常温･クリーン･低ダメージの新規固体薄膜堆積法としての有用性が明らかにされ、強磁性単電子デバイスの作製につながる微細プロセス技術を固めることができた。
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
ナノシリコン弾道電子源を用いたCu薄膜のプリンティング堆積
使用纳米硅弹道电子源印刷沉积铜薄膜
使用纳米硅弹道电子源印刷沉积铜薄膜
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[須田隆太郎, 八木麻実子, 小島明, R. Mentek, 白樫淳一, 越田信義]
通讯作者：
越田信義
ナノシリコン弾道電子源を用いたIV族半導体薄膜の堆積
使用纳米硅弹道电子源沉积 IV 族半导体薄膜
使用纳米硅弹道电子源沉积 IV 族半导体薄膜
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[八木麻実子, 須田隆太郎, 小島明, R. Mentek, 白樫淳一, 越田信義]
通讯作者：
越田信義
固体薄膜のプリンティング堆積方法
固体薄膜的印刷沉积方法
固体薄膜的印刷沉积方法
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Reductive Deposition of Thin Cu Films Using Ballistic Hot Electrons as a Printing Beam
使用弹道热电子作为印刷光束还原沉积铜薄膜
使用弹道热电子作为印刷光束还原沉积铜薄膜
DOI：
10.1149/2.0921606jes
发表时间：
2016
期刊：
J. Electrochem. Soc.
影响因子：
--
作者：
[R. Suda, M. Yagi, A. kojima, N. Mori, J. Shirakashi, and N. Koshida]
通讯作者：
and N. Koshida
共 19 条
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