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Development of basic technology for Ge-CMOS integratable high-performance Ge optical devices

Development of basic technology for Ge-CMOS integratable high-performance Ge optical devices
Ge-CMOS可集成高性能Ge光学器件基础技术开发
批准号：
26289090
负责人：
Wang Dong
金额：
$10.73万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289090/
关键词：
Ge光素子金属/半導体コンタクトSiフォトニクスCMOS電子・電気材料電子密度GOIGe-光素子局所歪み局所歪

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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima]
通讯作者： Hiroshi Nakashima
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Takayuki Maekura, Dong Wang, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima]
通讯作者： Hiroshi Nakashima
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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima]
通讯作者： H. Nakashima
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DOI： 10.1016/j.mssp.2016.11.014
发表时间： 2016
期刊： Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子： 4.1
作者： [Y. Nagatomi, T. Tateyama, S. Tanaka, W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, L. Zhao, D. Wang, and H. Nakashima]
通讯作者： and H. Nakashima
共 56 条
    Performance enhancement for Ge optical devices by applying local strain to Ge-On-Insulator substrates
    • 批准号：
      17H03237
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Wang Dong
    • 依托单位：
      Kyushu University