Performance enhancement for Ge optical devices by applying local strain to Ge-On-Insulator substrates

通过对绝缘体上Ge衬底施加局部应变来增强Ge光学器件的性能

基本信息

  • 批准号：
    17H03237
  • 负责人：
    Wang Dong
  • 金额：
    $ 11.81万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination
绝缘体上Ge的导电类型控制：智能切割和缺陷消除的结合
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Yamamoto;K. Nakae;H. Akamine;D. Wang;H. Nakashima;Md. M Alam;K. Sawano;Z. Xue;M. Zhang;Z. Di
  • 通讯作者：
    Z. Di
電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成
通过电子束蒸发在Ge上形成Y氧化物基栅绝缘膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    秋山 健太郎;井芹 健人;温 偉辰;山本 圭介;王 冬;中島 寛
  • 通讯作者：
    中島 寛
遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御
使用过渡金属氮化物对金属/Ge接触进行势垒控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    山本 圭介;光原 昌寿;王 冬;中島 寛
  • 通讯作者：
    中島 寛
Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy
使用深能级瞬态光谱对低温和高温热氧化生长的 GeO2/Ge 栅堆叠进行近界面边界陷阱表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    W. -C. Wen;T. Sakaguchi;K. Yamamoto;D. Wang;and H. Nakashima
  • 通讯作者：
    and H. Nakashima
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy
使用深能级瞬态光谱对 Ge 栅极堆栈进行边界陷阱表征
  • DOI：
    10.1149/09204.0003ecst
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    ECS transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hiroshi Nakashima;Wei-Chen Wen;Keisuke Yamamoto;Dong Wang
  • 通讯作者：
    Dong Wang
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Wang Dong其他文献

Urea Detection of Electrochemical Transistor Sensors based on Polyanline (PANI)/MWCNT/Cotton Yarns
基于聚苯胺（PANI）/MWCNT/棉纱的电化学晶体管传感器的尿素检测
  • DOI：
    10.1002/elan.202100303
  • 发表时间：
    2021-08
  • 期刊：
    Electroanalysis
  • 影响因子：
    3
  • 作者：
    Wang Yao;Zhang Yang;Yuedan Wang;Rufeng Zhu;Yuanli Chen;Xue Liu;Jia Xu;Mufang Li;Wang Dong
  • 通讯作者：
    Wang Dong
Classical swine fever virus NS4B protein interacts with MAVS and inhibits IL-8 expression in PAMs
猪瘟病毒 NS4B 蛋白与 MAVS 相互作用并抑制 PAM 中 IL-8 的表达
  • DOI：
    10.1016/j.virusres.2021.198622
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Virus Research
  • 影响因子：
    5
  • 作者：
    Wang Dong;Huiyuan Jing;Wang Haihua;Cao Sufang;Yanting Sun;Zhang Yan;Huifang Lv
  • 通讯作者：
    Huifang Lv
Unprecedented formation of 3-(tetrahydrofuran-2-yl)-4H-chromen-4-one in a reaction between 3,3a-dihydro-9H-furo[3,4-b] chromen-9-one and malononitrile
3,3a-二氢-9H-呋喃[3,4-b]苯并苯-9-酮与丙二腈反应史无前例地形成 3-(四氢呋喃-2-基)-4H-苯并苯-4-酮
  • DOI：
    10.1039/c7ob00904f
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Organic & Biomolecular Chemistry
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Liu Jie-Jie;Cheng Liang;Huang Hong-Yan;Wei Feng;Wang Dong;Liu Li
  • 通讯作者：
    Liu Li
Combined effects of dissolved humic acids and tourmaline on the BDE-153 in Lactuca Sativa
溶解的腐殖酸和电气石对生菜中 BDE-153 的综合影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Environmental Pollution
  • 影响因子：
    8.9
  • 作者：
    Wang Cuiping;Ma Chuanxin;Jia Weili;Wang Dong;Sun Hongwen;Xing Baoshan
  • 通讯作者：
    Xing Baoshan
Polarization Spinodal at Ferroelectric Morphotropic Phase Boundary
铁电同性相边界处的极化旋节线
  • DOI：
    10.1103/physrevlett.125.127602
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Physical Review Letters
  • 影响因子：
    8.6
  • 作者：
    Ke Xiaoqin;Wang Dong;Ren Xiaobing;Wang Yunzhi
  • 通讯作者：
    Wang Yunzhi

Wang Dong的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('Wang Dong', 18)}}的其他基金

Development of basic technology for Ge-CMOS integratable high-performance Ge optical devices
Ge-CMOS可集成高性能Ge光学器件基础技术开发
  • 批准号：
    26289090
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
基于Ge-On-Insulator衬底的MIS型近红外发光器件的研发
  • 批准号：
    23K03927
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
The realization of steep slope tunnel FET on Ge-on-Insulator substrate
Ge-on-Insulator衬底上陡坡隧道FET的实现
  • 批准号：
    19K15028
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering
了解Ge-On-Insulator CMOS的载流子传输特性并建立性能增强工程
  • 批准号：
    26249038
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
用于超高速晶体管应用的绝缘体上应变Ge的高质量形成
  • 批准号：
    23360138
  • 财政年份：
    2011
  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
局所酸化濃縮による歪みGe-On-Insulator基板の形成
通过局部氧化富集形成应变Ge-On-Insulator衬底
  • 批准号：
    09F09271
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了