Performance enhancement for Ge optical devices by applying local strain to Ge-On-Insulator substrates
Performance enhancement for Ge optical devices by applying local strain to Ge-On-Insulator substrates
通过对绝缘体上Ge衬底施加局部应变来增强Ge光学器件的性能
批准号：
17H03237
负责人：
Wang Dong
金额：
$11.81万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination
绝缘体上Ge的导电类型控制：智能切割和缺陷消除的结合
绝缘体上Ge的导电类型控制：智能切割和缺陷消除的结合
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di]
通讯作者：
Z. Di
電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成
通过电子束蒸发在Ge上形成Y氧化物基栅绝缘膜
通过电子束蒸发在Ge上形成Y氧化物基栅绝缘膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[秋山 健太郎, 井芹 健人, 温 偉辰, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛]
通讯作者：
中島 寛
遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御
使用过渡金属氮化物对金属/Ge接触进行势垒控制
使用过渡金属氮化物对金属/Ge接触进行势垒控制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本 圭介, 光原 昌寿, 王 冬, 中島 寛]
通讯作者：
中島 寛
Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy
使用深能级瞬态光谱对低温和高温热氧化生长的 GeO2/Ge 栅堆叠进行近界面边界陷阱表征
使用深能级瞬态光谱对低温和高温热氧化生长的 GeO2/Ge 栅堆叠进行近界面边界陷阱表征
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima]
通讯作者：
and H. Nakashima
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy
使用深能级瞬态光谱对 Ge 栅极堆栈进行边界陷阱表征
使用深能级瞬态光谱对 Ge 栅极堆栈进行边界陷阱表征
DOI：
10.1149/09204.0003ecst
发表时间：
2019
期刊：
ECS transactions
影响因子：
--
作者：
[Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang]
通讯作者：
Dong Wang
共 42 条
Development of basic technology for Ge-CMOS integratable high-performance Ge optical devices
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批准号：26289090
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.73万
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财政年份：2014
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负责人：Wang Dong
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依托单位：
海外基金