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Low Temperature and Non-Vacuum Bonding of Wide Bandgap Semiconductor Materials by VUV/Vapor-Assisted Method

Low Temperature and Non-Vacuum Bonding of Wide Bandgap Semiconductor Materials by VUV/Vapor-Assisted Method
VUV/蒸汽辅助法宽带隙半导体材料的低温非真空键合
批准号:
26289112
负责人:
Shigetou Akitsu
金额:
$10.48万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2018-03-31

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Vacuum Ultraviolet (VUV) and Vapor-Combined Surface Modification for Hybrid Bonding of SiC, GaN, and Si Substrates at Low Temperature
用于低温 SiC、GaN 和 Si 衬底混合键合的真空紫外线 (VUV) 和蒸汽组合表面改性
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [A. Shigetou, J. Mizuno, and S. Shoji]
通讯作者: and S. Shoji
国立台湾大学(国立台湾大学-NIMS連携大学院)(台湾)
国立台湾大学(国立台湾大学-NIMS研究生院)(台湾)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
生体親和性エレクトロニクス実装のための低温大気圧接合技術
用于生物相容性电子器件的低温大气压接合技术
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [Mariusz Bojarski, Dariusz Czarkowski, Francisco de Leon, Qijun Deng, Marian K. Kazimierczuk, and Hiroo Sekiya, 重藤暁津,水野潤,庄子習一]
通讯作者: 重藤暁津,水野潤,庄子習一
Bonding technology in ambient air: For hybridization of electronic devices
环境空气中的粘合技术:用于电子设备的混合
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Kasahara, Z. Ding, M. Nakano, J. Suehiro, 重藤暁津]
通讯作者: 重藤暁津
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