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In-situ doping of high-quality boron nitride semiconductors

In-situ doping of high-quality boron nitride semiconductors
高品质氮化硼半导体的原位掺杂
批准号：
26289241
负责人：
TEII Kungen
金额：
$10.4万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289241/
关键词：
プラズマ加工半導体物性電子・電気材料材料加工・処理先端機能デバイス

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Formation of Pulsed Discharges in Molten Semiconductors and Their Application to Crystal Growth
  • 批准号：
    26630368
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    TEII Kungen
  • 依托单位：
    Kyushu University
Grain-boundary conduction control and electrical characterization of n-type nanodiamond thin films for ultralow loss devices
  • 批准号：
    19560678
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    TEII Kungen
  • 依托单位：
    Kyushu University
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