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In-situ doping of high-quality boron nitride semiconductors

高品质氮化硼半导体的原位掺杂

基本信息

批准号：
26289241
负责人：
TEII Kungen
金额：
$ 10.4万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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26630368
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$ 10.4万
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X00090----255007
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1977
资助金额：
$ 10.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

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X42065------4121
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1967
资助金额：
$ 10.4万
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批准号：
X41065------4043
财政年份：
1966
资助金额：
$ 10.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research