Grain-boundary conduction control and electrical characterization of n-type nanodiamond thin films for ultralow loss devices

用于超低损耗器件的 n 型纳米金刚石薄膜的晶界传导控制和电学表征

• 批准号: 19560678
• 负责人: TEII Kungen
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560678/
• 关键词: カーボン材料; プラズマ; 半導体; ラジカル; ナノ粒子; ダイヤモンド; 電子デバイス; ドーピング; 粒界; CVD; 薄膜

ダイヤモンドは超低損失デバイスを実現し、省エネルギー・低環境負荷に貢献できる夢の半導体材料であるが、n型のドーピングが困難である。本研究では、窒素ドープナノダイヤモンド薄膜のもつ特異な粒界伝導特性の制御によって、高いn型伝導性を実証した。またその成果をもとに、ヘテロ構造デバイスの試作と評価を行い、ダイヤモンド超低損失デバイスの実現に必要な技術基盤を確立した。

It is difficult to realize ultra-low loss semiconductor materials, save production costs and contribute to low environmental load. In this study, the control of grain specific conductivity and high n-type conductivity of thin films were demonstrated. The results of the test, evaluation and implementation of the ultra-low loss test were established.

项目成果

ナノダイヤモンド膜の形成機構と電気伝導特性

纳米金刚石薄膜的形成机理及导电性能

• 发表时间: 2008
• 期刊: 電気学会プラズマ研究会資料 PST-08-66
• 作者: 池田知弘;堤井君元
• 通讯作者: 堤井君元

ナノダイヤモンド/シリコンヘテロ接合ダイオードの電気特性評価

纳米金刚石/硅异质结二极管的电学特性

• 发表时间: 2008
• 作者: 池田知弘;堤井君元
• 通讯作者: 堤井君元

Phase control and electrical properties of undoped and nitrogen-doped nanodiamond films deposited from Ar-rich microwave plasmas

富氩微波等离子体沉积的未掺杂和氮掺杂纳米金刚石薄膜的相控制和电性能

• 发表时间: 2007
• 期刊: Proceedings of 18th International Symposium on Plasma Chemistry 27P-16(CD-ROM)
• 作者: T. Ikeda;K. Takeguchi;K. Teii
• 通讯作者: K. Teii

Origin of low threshold field emission from nitrogen-incorporated nanocrystalline diamond films

• DOI: 10.1063/1.3115767
• 发表时间: 2009-04-06
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Ikeda, Tomohiro;Teii, Kungen
• 通讯作者: Teii, Kungen

n型ナノダイヤモンド膜の形成と電気特性評価

n型纳米金刚石薄膜的形成及电性能评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 池田知弘;堤井君元
• 通讯作者: 堤井君元