Grain-boundary conduction control and electrical characterization of n-type nanodiamond thin films for ultralow loss devices
Grain-boundary conduction control and electrical characterization of n-type nanodiamond thin films for ultralow loss devices
用于超低损耗器件的 n 型纳米金刚石薄膜的晶界传导控制和电学表征
批准号：
19560678
负责人：
TEII Kungen
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
ダイヤモンドは超低損失デバイスを実現し、省エネルギー・低環境負荷に貢献できる夢の半導体材料であるが、n型のドーピングが困難である。本研究では、窒素ドープナノダイヤモンド薄膜のもつ特異な粒界伝導特性の制御によって、高いn型伝導性を実証した。またその成果をもとに、ヘテロ構造デバイスの試作と評価を行い、ダイヤモンド超低損失デバイスの実現に必要な技術基盤を確立した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
ナノダイヤモンド膜の形成機構と電気伝導特性
纳米金刚石薄膜的形成机理及导电性能
纳米金刚石薄膜的形成机理及导电性能
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
電気学会プラズマ研究会資料 PST-08-66
影响因子：
--
作者：
[池田知弘, 堤井君元]
通讯作者：
堤井君元
ナノダイヤモンド/シリコンヘテロ接合ダイオードの電気特性評価
纳米金刚石/硅异质结二极管的电学特性
纳米金刚石/硅异质结二极管的电学特性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[池田知弘, 堤井君元]
通讯作者：
堤井君元
Phase control and electrical properties of undoped and nitrogen-doped nanodiamond films deposited from Ar-rich microwave plasmas
富氩微波等离子体沉积的未掺杂和氮掺杂纳米金刚石薄膜的相控制和电性能
富氩微波等离子体沉积的未掺杂和氮掺杂纳米金刚石薄膜的相控制和电性能
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Proceedings of 18th International Symposium on Plasma Chemistry 27P-16(CD-ROM)
影响因子：
--
作者：
[T. Ikeda, K. Takeguchi, K. Teii]
通讯作者：
K. Teii
DOI：
10.1063/1.3115767
发表时间：
2009-04-06
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Ikeda, Tomohiro, Teii, Kungen]
通讯作者：
Teii, Kungen
ナノダイヤモンド薄膜の成長機構とn型伝導特性
纳米金刚石薄膜的生长机理和n型导电性能
纳米金刚石薄膜的生长机理和n型导电性能
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[池田知弘, 堤井君元]
通讯作者：
堤井君元
共 13 条
Formation of Pulsed Discharges in Molten Semiconductors and Their Application to Crystal Growth
-
批准号：26630368
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额：$2.5万
-
财政年份：2014
-
负责人：TEII Kungen
-
依托单位：
In-situ doping of high-quality boron nitride semiconductors
-
批准号：26289241
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$10.4万
-
财政年份：2014
-
负责人：TEII Kungen
-
依托单位：
海外基金