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Formation of Pulsed Discharges in Molten Semiconductors and Their Application to Crystal Growth
熔融半导体中脉冲放电的形成及其在晶体生长中的应用
基本信息
- 批准号：26630368
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
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$ 2.5万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
22K14293 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
分子配向と結晶成長を指向した有機半導体成膜法の開発と有機トランジスタへの応用
面向分子取向和晶体生长的有机半导体成膜方法的开发及其在有机晶体管中的应用
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- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
20J22804 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Revolution of semiconductor bulk crystal growth technique by transport phenomena combined with information technology
输运现象与信息技术相结合的半导体块晶生长技术的革命
- 批准号：
20H00320 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)