Memristor motivated by Li ion insertion/extraction in Li ternary compounds
Memristor motivated by Li ion insertion/extraction in Li ternary compounds
由锂三元化合物中锂离子嵌入/脱嵌驱动的忆阻器
批准号：
15K05984
负责人：
KUSHIDA Kazumasa
金额：
$2.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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熱刺激電流を用いた材料・デバイス開発の最前線第７章耐環境材料
使用热刺激电流的材料和器件开发的最前沿第7章耐环境材料
使用热刺激电流的材料和器件开发的最前沿第7章耐环境材料
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[串田一雅, 栗山一男]
通讯作者：
栗山一男
Lattice displacement and electrical property of Li-ion implanted GaN single crystal
锂离子注入GaN单晶的晶格位移和电学性能
锂离子注入GaN单晶的晶格位移和电学性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Torita, K. Kushida, T. Nishimura, K. Kuriyama, T. Nakamura]
通讯作者：
T. Nakamura
Evaluation of lattice displacement in Mg- Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy
通过卢瑟福背散射光谱评估镁注入 GaN 中的晶格位移
通过卢瑟福背散射光谱评估镁注入 GaN 中的晶格位移
DOI：
10.1016/j.nimb.2017.03.125
发表时间：
2017
期刊：
Nuclear Intsrument and Methods in Physics Reserarch B
影响因子：
--
作者：
[N. Nishikata, K. Kushida, T. Nishimura, T. Mishima, K. Kuriyama, T. Nakamura]
通讯作者：
T. Nakamura
ラザフォード後方散乱法及び弾性反跳法によるGaN単結晶の格子変位と残留水素の評価
使用卢瑟福背散射法和弹性反冲法评估GaN单晶中的晶格位移和残余氢
使用卢瑟福背散射法和弹性反冲法评估GaN单晶中的晶格位移和残余氢
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤一樹, 串田一雅, 西村智朗, 栗山一男, 中村徹]
通讯作者：
中村徹
DOI：
10.1002/pssc.201400289
发表时间：
2015-06
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
[K. Kushida;K. Kuriyama]
通讯作者：
K. Kushida;K. Kuriyama
共 8 条
Study on a visible analysis of Jahn-Teller distortion in Li secondary batteries
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批准号：18760013
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.38万
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财政年份：2006
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负责人：KUSHIDA Kazumasa
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依托单位：
海外基金