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Memristor motivated by Li ion insertion/extraction in Li ternary compounds
由锂三元化合物中锂离子嵌入/脱嵌驱动的忆阻器
基本信息
- 批准号：15K05984
- 负责人：
- 金额：$ 2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
熱刺激電流を用いた材料・デバイス開発の最前線第７章耐環境材料
使用热刺激电流的材料和器件开发的最前沿第7章耐环境材料
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：串田一雅;栗山一男
- 通讯作者：栗山一男
Lattice displacement and electrical property of Li-ion implanted GaN single crystal
锂离子注入GaN单晶的晶格位移和电学性能
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Torita;K. Kushida;T. Nishimura;K. Kuriyama; T. Nakamura
- 通讯作者：T. Nakamura
Evaluation of lattice displacement in Mg- Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy
通过卢瑟福背散射光谱评估镁注入 GaN 中的晶格位移
- DOI：10.1016/j.nimb.2017.03.125
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Nishikata;K. Kushida;T. Nishimura;T. Mishima;K. Kuriyama;T. Nakamura
- 通讯作者：T. Nakamura
ラザフォード後方散乱法及び弾性反跳法によるGaN単結晶の格子変位と残留水素の評価
使用卢瑟福背散射法和弹性反冲法评估GaN单晶中的晶格位移和残余氢
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤一樹;串田一雅;西村智朗;栗山一男;中村徹
- 通讯作者：中村徹
Crystallization mechanism of sol‐gel synthesized spinel LiMn2O4
- DOI：10.1002/pssc.201400289
- 发表时间：2015-06
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kushida;K. Kuriyama
- 通讯作者：K. Kushida;K. Kuriyama
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