Improving the reliability of GaN HEMTs using MMC structures and free-standing GaN substrates
Improving the reliability of GaN HEMTs using MMC structures and free-standing GaN substrates
使用 MMC 结构和独立式 GaN 衬底提高 GaN HEMT 的可靠性
批准号：
15K06013
负责人：
Asubar Joel
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.1109/ted.2015.2440442
发表时间：
2015-08-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
[Asubar, Joel T., Kobayashi, Yohei, Kuzuhara, Masaaki]
通讯作者：
Kuzuhara, Masaaki
DOI：
10.7567/jjap.55.070101
发表时间：
2016-06
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[M. Kuzuhara;J. Asubar;H. Tokuda]
通讯作者：
M. Kuzuhara;J. Asubar;H. Tokuda
Impact of Drain Electrode Shape Irregularities on Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMTs
漏电极形状不规则性对 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压的影响
漏电极形状不规则性对 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Ohi, S. Makino, T. Yamazaki, H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara]
通讯作者：
and M. Kuzuhara
Effect of Metal Electrode Shape Irregularities on AlGaN/GaN HEMTs Breakdown Voltage Revealed by Electroluminescence
电致发光揭示金属电极形状不规则性对 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压的影响
电致发光揭示金属电极形状不规则性对 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Makino, T. Yamazaki, S. Ohi, H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara]
通讯作者：
and M. Kuzuhara
Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
圆角电极角对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管击穿特性的影响
圆角电极角对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管击穿特性的影响
DOI：
10.7567/apex.11.054102
发表时间：
2018
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Taisei Yamazaki, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara]
通讯作者：
and Masaaki Kuzuhara
共 25 条
Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
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批准号：19K04528
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Asubar Joel
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依托单位：
海外基金