Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
通过结构和工艺实现高度稳定的常关型 GaN 晶体管
批准号：
19K04528
负责人：
Asubar Joel
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Recent progress in Normally-off GaN-based transistors
常关型 GaN 晶体管的最新进展
常关型 GaN 晶体管的最新进展
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Joel T. Asubar, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, and Masaaki Kuzuhara]
通讯作者：
and Masaaki Kuzuhara
Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Motoyama, Z. Yatabe, Y. Nakamura, A. Baratov, R. S. Low, S. Urano, J. T. Asubar, M. Kuzuhara]
通讯作者：
M. Kuzuhara
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara]
通讯作者：
M. Kuzuhara
Slovak Academy of Sciences (SAS)(スロバキア)
斯洛伐克科学院 (SAS)（斯洛伐克）
斯洛伐克科学院 (SAS)（斯洛伐克）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
5. Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques
5. ALD 和雾气 CVD 技术沉积 Al2O3 栅极绝缘体的 GaN 基 MIS-HEMT 的电学特性
5. ALD 和雾气 CVD 技术沉积 Al2O3 栅极绝缘体的 GaN 基 MIS-HEMT 的电学特性
DOI：
10.1109/imfedk53601.2021.9637639
发表时间：
2021
期刊：
2021 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
影响因子：
--
作者：
[S Urano, RS Low, M Faris, M Ishiguro, I Nagase, A Baratov, JT Asubar, T Motoyama, Y Nakamura, Z Yatabe, M Kuzuhara]
通讯作者：
M Kuzuhara
共 30 条
Improving the reliability of GaN HEMTs using MMC structures and free-standing GaN substrates
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批准号：15K06013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2015
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负责人：Asubar Joel
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依托单位：