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Reduction in current collapse and enhancement of breakdown voltage in GaN-based HEMTs

Reduction in current collapse and enhancement of breakdown voltage in GaN-based HEMTs
减少 GaN 基 HEMT 中的电流崩塌并提高击穿电压
批准号：
16K06314
负责人：
Horio Kazushige
金额：
$3.08万
依托单位：
Shibaura Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06314/
关键词：
窒化ガリウムHEMT電流コラプス耐圧フィールドプレートバッファ層２次元解析深いアクセプタ高誘電率膜電子デバイス・機器半導体物性マイクロ・ナノデバイス

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Analysis of breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer and high acceptor density in buffer layer
高k钝化层和缓冲层高受主密度的AlGaN/GaN HEMT击穿电压分析
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Ueda, R. Tomita, Y. Kawada, and K. Horio]
通讯作者： and K. Horio
Suppression of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high acceptor density in a buffer layer
缓冲层中具有高受主密度的场板 AlGaN/GaN HEMT 中滞后现象和电流崩塌的抑制
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Saito, R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio]
通讯作者： N. Noda and K. Horio
Simulation of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers
具有双钝化层的 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压增强仿真
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [遠藤 勇輝, 原田 義彬, 竹内 淳, 岩木 拓也, 町田 龍人, 藤代 博記, K. Horio and H. Hanawa]
通讯作者： K. Horio and H. Hanawa
Similarities of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with different types of buffer layers
具有不同类型缓冲层的场板 AlGaN/GaN HEMT 滞后现象和电流崩塌的相似性
DOI： --
发表时间： 2017
期刊： Microelectronics Reliability
影响因子： 1.6
作者： [R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio]
通讯作者： N. Noda and K. Horio
共 32 条
    国内基金
    海外基金
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    图形化衬底调控极端电应力下硅基氮化 镓HEMT器件位错缺陷的形成演化机制研 究
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
    AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      叶然
    • 依托单位：