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Identification of Local Current Leakage Location for Mechanism of Leak Current in GaN Transistors
GaN晶体管漏电流机理的局部漏电流位置识别
基本信息
- 批准号：15K06014
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
- DOI：10.7567/apex.9.031002
- 发表时间：2016-02
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：T. Narita;A. Wakejima;T. Egawa
- 通讯作者：T. Narita;A. Wakejima;T. Egawa
Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate
Si 衬底上 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 8600 K 电子温度的观测
- DOI：10.1088/0268-1242/31/3/035007
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tomotaka Narita;Yuichi Fujimoto;Akio Wakejima and Takashi Egawa
- 通讯作者：Akio Wakejima and Takashi Egawa
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