Identification of Local Current Leakage Location for Mechanism of Leak Current in GaN Transistors
Identification of Local Current Leakage Location for Mechanism of Leak Current in GaN Transistors
GaN晶体管漏电流机理的局部漏电流位置识别
批准号：
15K06014
负责人：
Wakejima Akio
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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会议论文
DOI：
10.7567/apex.9.031002
发表时间：
2016-02
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[T. Narita;A. Wakejima;T. Egawa]
通讯作者：
T. Narita;A. Wakejima;T. Egawa
Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate
Si 衬底上 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 8600 K 电子温度的观测
Si 衬底上 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 8600 K 电子温度的观测
DOI：
10.1088/0268-1242/31/3/035007
发表时间：
2016
期刊：
Semicond. Sci. Technol.
影响因子：
--
作者：
[Tomotaka Narita, Yuichi Fujimoto, Akio Wakejima and Takashi Egawa]
通讯作者：
Akio Wakejima and Takashi Egawa
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