Current control of graphene channel transistors using semiconductor contacts

使用半导体接触的石墨烯沟道晶体管的电流控制

基本信息

批准号：
24656204
负责人：
TOKUMITSU Eisuke
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

Graphene has attracted much interest for next-generation electronics applications due to its extremely high mobility. However, conventional graphene channel transistors with metal source/drain contacts show ambipolar behavior in their transfer characteristics and on/off drain current ratio is usually low because bandgap of graphene is zero. In this research project, it has been demonstrated that unipolar behavior with high on/off ratio of more than 10^3 can be obtained by using SiC semiconductor source/drain contacts. In particular, improvement of interface properties between graphene and SiC is important to obtain high on/off ratio.

由于其极高的机动性，石墨烯对下一代电子应用引起了极大的兴趣。但是，具有金属源/排水接触的常规石墨烯通道晶体管在其传递特性中表现出歧义性行为，而开/关流电流比通常很低，因为石墨烯的带隙为零。在该研究项目中，已经证明可以通过使用SIC半导体源/排水触点获得高/关高比高于10^3的单极行为。特别是，石墨烯和SIC之间的界面特性的改善对于获得高/OFF比率很重要。

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Characterization of Electrical Properties of Graphene/n-SiC Contacts

石墨烯/n-SiC 触点电性能表征

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuichi Nagahisa;Yuichi Harada;and Eisuke Tokumitsu
通讯作者：
and Eisuke Tokumitsu

Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with N-Type Doped SiC Source/Drain Regions

N型掺杂SiC源/漏区石墨烯晶体管中空穴电流的抑制

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Yuichi Nagahisa;Eisuke Tokumitsu
通讯作者：
Eisuke Tokumitsu

Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al_2O_3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al_2O_3 Buffer Layer

使用带有预退火 Al_2O_3 缓冲层的堆叠 Al_2O_3 栅极绝缘体制造 4H-SiC MOSFET

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
H.Yamada;S.Hino;N.Miura;M.Imaizumi;S.Yamakawa;and E.Tokumitsu
通讯作者：
and E.Tokumitsu

Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions

具有 n 型掺杂 SiC 源极/漏极区域的石墨烯晶体管中高开/关漏极电流比的观察

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y.Nagahisa;Y.Harada;E.Tokumitsu
通讯作者：
E.Tokumitsu

Comparative Study of Metalorganic Chemical Vapour Deposition of HfO_2 and Al_2O_3 Gate Insulators on SiC for Power MOSFET Applications

用于功率MOSFET应用的SiC上金属有机化学气相沉积HfO_2和Al_2O_3栅极绝缘体的比较研究

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Eisuke Tokumitsu;Isahaya Yamamura;Shiro Hino;Naruhisa Miura;Masayuki Imaizumi;Hiroaki Sumitani and Tatsuo Oomori
通讯作者：
Hiroaki Sumitani and Tatsuo Oomori