The plasmonic extraordinary transmission phenomenon of III-nitride semiconductors and application to UV emitting devices

III族氮化物半导体的等离子体异常传输现象及其在紫外发射器件中的应用

• 批准号: 15H03556
• 负责人: Hiramatsu Kazumasa
• 金额: $ 11.23万
• 依托单位: Mie University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03556/
• 关键词: 窒化物半導体; 窒化アルミニウム; 紫外線発光デバイス; 表面プラズモン; プラズモン誘導透過現象; 極性; 非極性; 金属; 回折格子; プラズモン誘導光透過; 光物性; 応用光学・量子光工学; 結晶工学; 結晶成長; 紫外線発光素子

项目成果

Selective area growth of GaN on trench-patterned nonpolar bulk GaN substrates

沟槽图案非极性体 GaN 衬底上 GaN 的选择性区域生长

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.011
• 发表时间: 2017
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: S. Okada;H. Iwai;H. Miyake;K. Hiramatsu
• 通讯作者: K. Hiramatsu

MOVPE法によるAlN膜のface-to-faceアニール

MOVPE 法对 AlN 薄膜进行面对面退火

• 发表时间: 2017
• 作者: 田中襲一;岡田俊祐;林侑介;三宅秀人;平松和政
• 通讯作者: 平松和政

Growth of GaN on trench patterned non-polar bulk GaN substrates

沟槽图案化非极性块状 GaN 衬底上 GaN 的生长

• 发表时间: 2016
• 作者: S. Okada;H. Iwai;H. Miyake;K. Hiramatsu
• 通讯作者: K. Hiramatsu

Detecion of high-refractive index media by a surface plasmon sensor using a one dimensional metal diffraction grating

使用一维金属衍射光栅的表面等离子体传感器检测高折射率介质

• 发表时间: 2015
• 作者: S.Mito;A.Motogaito;H.Miyake and K.Hiramatsu
• 通讯作者: H.Miyake and K.Hiramatsu

Study of curvature during thermal annealing of AlN on sapphire

蓝宝石上 AlN 热退火过程中的曲率研究

• 发表时间: 2017
• 作者: Shunsuke Okada;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu
• 通讯作者: Kazumasa Hiramatsu