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Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide

Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide
使用碳化硅开发极端环境电阻式CCD
批准号：
15H03967
负责人：
HIJIKATA Yasuto
金额：
$10.57万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03967/
关键词：
炭化ケイ素(SiC)半導体CCDガンマ線照射効果MOSキャパシタ界面準位密度埋込チャネル構造イオン注入放射線耐性炭化ケイ素半導体電荷輸送バンドギャップ埋め込みチャネル構造フォトリソグラフィー電子・電気材料放射線半導体物性光応答可視光応答反転層形成炭化ケイ素紫外光応答透明電極膜アレイ化

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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [藤居大毅, 枡谷聡士, 大山幸希, 武田秀俊, 木村 豊, 金 聖祐, 嘉数 誠, 土方 泰斗]
通讯作者： 土方 泰斗
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DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Boussadi, A. Tallaire, M. Kasu, J. Barjon, J. Achard, 土方 泰斗，牧野 高紘，佐藤 真一郎，山崎雄一，大島 武]
通讯作者： 土方 泰斗，牧野 高紘，佐藤 真一郎，山崎雄一，大島 武
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DOI： --
发表时间： 2017
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作者： [M. Nakano, K. Fujiyama, T. Yanai, M. Itakura, H. Fukunaga, 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武]
通讯作者： 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
共 55 条
    Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors
    • 批准号：
      24560365
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.49万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      HIJIKATA Yasuto
    • 依托单位：
      Saitama University
    国内基金
    海外基金
    线阵CCD高速摄像一体化控制系统设计
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      孙蕾
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
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    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      林孚荣
    • 依托单位：
      江西师范大学