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Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide

使用碳化硅开发极端环境电阻式CCD

基本信息

批准号：
15H03967
负责人：
HIJIKATA Yasuto
金额：
$ 10.57万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

SiC酸化膜界面のパッシベーション技術

SiC氧化膜界面钝化技术

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤居大毅;枡谷聡士;大山幸希;武田秀俊;木村豊;金聖祐;嘉数誠;土方泰斗
通讯作者：
土方泰斗

SiC半導体が実現する室温電子駆動量子センサ

SiC半导体实现的室温电子驱动量子传感器

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Boussadi;A. Tallaire;M. Kasu;J. Barjon;J. Achard;土方泰斗，牧野高紘，佐藤真一郎，山崎雄一，大島武
通讯作者：
土方泰斗，牧野高紘，佐藤真一郎，山崎雄一，大島武

Various single photon sources observed in SiC pin diodes

在 SiC pin 二极管中观察到的各种单光子源

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Tsunemi;T. Honda;T. Makino;S. Onoda;S-I. Sato;Y. Hijikata;and T. Ohshima
通讯作者：
and T. Ohshima

重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程

SiC-MOSFET重离子辐照感应收集电荷的产生过程

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Nakano;K. Fujiyama;T. Yanai;M. Itakura;H. Fukunaga;高野修平，牧野高紘，原田信介，土方泰斗，大島武
通讯作者：
高野修平，牧野高紘，原田信介，土方泰斗，大島武

SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析

SiC中堆垛层错对单光子光源发射波长影响的理论分析

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
功刀遼太;志村昴亮;中川宣拓;渡邉孝信;古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
通讯作者：
古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎

DOI：
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作者：
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HIJIKATA Yasuto其他文献

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作者：
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{{ truncateString('HIJIKATA Yasuto', 18)}}的其他基金

Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors

碳化硅半导体氧化诱发缺陷形成机制的阐明

批准号：
24560365
财政年份：
2012
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
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批准年份：
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批准号：
2205692
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批准号：
530850-2018
财政年份：
2018
资助金额：
$ 10.57万
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Elucidation of pathogenesis of IgE-dependent type I allergy which crosses species and involvement of CCD

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批准号：
16K10157
财政年份：
2016
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Gel dosimetry in ion beam with CCD type optical computed tomography system

使用 CCD 型光学计算机断层扫描系统进行离子束凝胶剂量测定

批准号：
16K21257
财政年份：
2016
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Critical replacement of a damaged CCD camera used for ultrasensitive imaging and spectroscopy.

关键更换用于超灵敏成像和光谱学的受损 CCD 相机。

批准号：
RTI-2017-00002
财政年份：
2016
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Research Tools and Instruments

A single-photon counting CCD camera for quantum technologies and fundamental physics

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批准号：
RTI-2016-00006
财政年份：
2015
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Research Tools and Instruments

単結晶試料の結晶方位決定のためのCCD背面反射ラウエカメラの試作開発

用于确定单晶样品晶体取向的 CCD 背反射劳厄相机原型开发

批准号：
15H00322
财政年份：
2015
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists

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通过新的时钟模式提高 X 射线 CCD 相机的时间分辨率

批准号：
26800144
财政年份：
2014
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

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