Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors
Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors
碳化硅半导体氧化诱发缺陷形成机制的阐明
批准号：
24560365
负责人：
HIJIKATA Yasuto
金额：
$3.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
伽马射线照射对 Si 和 SiC-MOSFET I-V 特性的影响
伽马射线照射对 Si 和 SiC-MOSFET I-V 特性的影响
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗]
通讯作者：
土方泰斗
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
4H-SiC 外延层中氧化引起的堆垛层错的光致发光研究
4H-SiC 外延层中氧化引起的堆垛层错的光致发光研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi]
通讯作者：
H. Yaguchi
Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
原位光谱椭圆光度法研究 SiC 氧化过程的表面取向依赖性
原位光谱椭圆光度法研究 SiC 氧化过程的表面取向依赖性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi]
通讯作者：
H. Yaguchi
Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
碳化硅氧化过程中 Si 发射到氧化物层中
碳化硅氧化过程中 Si 发射到氧化物层中
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.553
发表时间：
2014
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
[Yasuto Hijikata, Yurie Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi]
通讯作者：
and Hiroyuki Yaguchi
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
通过沉积和热氧化制备4H-SiC MOS结构
通过沉积和热氧化制备4H-SiC MOS结构
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida, 加藤 寿悠 ，八木 修平 ，土方 泰斗 ，矢口 裕之, 大谷 篤志，八木 修平，土方 泰斗，矢口 裕之]
通讯作者：
大谷 篤志，八木 修平，土方 泰斗，矢口 裕之
共 24 条
Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide
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批准号：15H03967
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.57万
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财政年份：2015
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负责人：HIJIKATA Yasuto
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依托单位：
海外基金