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Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors
碳化硅半导体氧化诱发缺陷形成机制的阐明
基本信息
- 批准号：24560365
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
伽马射线照射对 Si 和 SiC-MOSFET I-V 特性的影响
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：横関貴史;田中量也;藤田奈津子;牧野高紘;小野田忍;大島武;田中雄季;神取幹郎;吉江徹;土方泰斗
- 通讯作者：土方泰斗
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
4H-SiC 外延层中氧化引起的堆垛层错的光致发光研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Miyano;S. Yagi;Y. Hijikata;H. Yaguchi
- 通讯作者：H. Yaguchi
Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
原位光谱椭圆光度法研究 SiC 氧化过程的表面取向依赖性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Goto;S. Yagi;Y. Hijikata;H. Yaguchi
- 通讯作者：H. Yaguchi
Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
碳化硅氧化过程中 Si 发射到氧化物层中
- DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.553
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yasuto Hijikata;Yurie Akasaka;Shuhei Yagi;and Hiroyuki Yaguchi
- 通讯作者：and Hiroyuki Yaguchi
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
通过沉积和热氧化制备4H-SiC MOS结构
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Hijikata;S. Yagi;H. Yaguchi;and S. Yoshida;加藤 寿悠 ，八木 修平 ，土方 泰斗 ，矢口 裕之;大谷 篤志，八木 修平，土方 泰斗，矢口 裕之
- 通讯作者：大谷 篤志，八木 修平，土方 泰斗，矢口 裕之
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HIJIKATA Yasuto其他文献
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Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide
使用碳化硅开发极端环境电阻式CCD
- 批准号：
15H03967 - 财政年份：2015
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- 批准号：
11750023 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
熱酸化法によるチタン上への遷移金属-チタン複合酸化物皮膜の形成と物性評価
热氧化法在钛表面形成过渡金属-钛复合氧化物薄膜及物理性能评价
- 批准号：
07650829 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
X線CTR散乱法によるシリコン熱酸化膜中の結晶相の面方位依存性
X射线CTR散射法测定硅热氧化膜晶相的面取向依赖性
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07750038 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
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金属多层膜热氧化制备石榴石磁性薄膜的研究
- 批准号：
06650786 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)