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Establishment of analysis of single nanowire by atom probe tomography in combination with transmission electron microscopy

原子探针断层扫描结合透射电子显微镜分析单纳米线的建立

基本信息

批准号：
15H05413
负责人：
Shimizu Yasuo
金额：
$ 15.48万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Atom probe study of semiconductor-based nanostructure

半导体纳米结构的原子探针研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Sato;S. Baba;C. Juenger;S. Matsuo;H. Kamata;K. Li;H.Q. Xu;C. Schoenenberger;S. Tarucha;Y. Shimizu
通讯作者：
Y. Shimizu

先端デバイス開発のための３次元アトムプローブ分析技術の応用例

3D原子探针分析技术在先进器件开发中的应用实例

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Ryuzaki;K. Terada;N. Saito;K. Okamoto and K. Tamada;清水康雄
通讯作者：
清水康雄

Atom probe tomographic assessment of the distribution of germanium atoms implanted in a silicon matrix through nano-apertures

通过纳米孔径注入硅基体中的锗原子分布的原子探针断层扫描评估

DOI：
10.1088/1361-6528/aa7f49
发表时间：
2017
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
Tu Y;Han B;Shimizu Y;Inoue K;Fukui Y;Yano M;Tanii T;Shinada T;Nagai Y
通讯作者：
Nagai Y

Boron distributions in individual core-shell Ge/Si and Si/Ge heterostructured nanowires

单个核壳 Ge/Si 和 Si/Ge 异质结构纳米线中的硼分布

DOI：
10.1039/c6nr04384d
发表时间：
2016
期刊：
Nanoscale
影响因子：
6.7
作者：
B. Han;Y. Shimizu;J. Wipakorn;K. Nishibe;Y. Tu;K. Inoue;N. Fukata;Y. Nagai
通讯作者：
Y. Nagai

Influence of laser power on atom probe tomographic analysis of boron distribution in silicon

激光功率对硅中硼分布原子探针断层分析的影响

DOI：
10.1016/j.ultramic.2016.11.023
发表时间：
2017
期刊：
Ultramicroscopy
影响因子：
2.2
作者：
Y. Tu;H. Takamizawa;B. Han;Y. Shimizu;K. Inoue;T. Toyama;F. Yano;A. Nishida;Y. Nagai
通讯作者：
Y. Nagai

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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Shimizu Yasuo其他文献

Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding

通过表面活化键合制造的金刚石/硅异质界面由于退火而导致原子结构的变化

DOI：
10.35848/1347-4065/ac5d11
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

体操競技のゆか種目における後方伸身宙返り4回ひねり(Shirai/Nguyen)獲得に必要となる技術的要因

体操项目中实现后伸空翻四转体（白井/阮）所需的技术因素。

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Annear Michael;Sato Shintaro;Kidokoro Tetsuhiro;Shimizu Yasuo;白井健三，平野智也，畠田好章，船渡和男
通讯作者：
白井健三，平野智也，畠田好章，船渡和男

AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process

采用先键合工艺制备的具有厚氮化物层的金刚石 HEMT 上的 AlGaN/GaN/3C-SiC

DOI：
10.35848/1882-0786/ac5ba7
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Kagawa Ryo;Kawamura Keisuke;Sakaida Yoshiki;Ouchi Sumito;Uratani Hiroki;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Oxidation-enhanced Si self-diffusion in isotopically modulated silicon nanopillars

同位素调制硅纳米柱中氧化增强的硅自扩散

DOI：
10.1063/1.5134105
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Kiga Ryotaro;Hayashi Sayaka;Miyamoto Satoru;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Endoh Tetsuo;Itoh Kohei M.
通讯作者：
Itoh Kohei M.

Distribution of Single-Ion Implanted Dopants in Silicon Investigated by Atom Probe Tomography

通过原子探针断层扫描研究硅中单离子注入掺杂剂的分布

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tu Yuan;Han Bin;Shimizu Yasuo;Inoue Koji;Yano Maasa;Chiba Yuki;Tanii Takashi;Shinada Takahiro;Nagai Yasuyoshi
通讯作者：
Nagai Yasuyoshi