权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

単電子ナノドットアレイデバイスの高機能化

单电子纳米点阵列器件的高功能

基本信息

批准号：
15J01747
负责人：
曹民圭
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-24 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15J01747/
关键词：
抵抗変化型メモリ単電子デバイス

项目摘要

本研究では単電子ナノドットアレイデバイスと抵抗変化型メモリによる新たな高機能デバイスシステムを目指した。平成28年度は主に抵抗変化型メモリと単電子ナノドットアレイデバイスの組み合わせシステムの設計に注力し、関連する研究を行った。平成28年度では、以下２項目において、成果をあげた。①単電子ナノドットアレイに関する研究では、共同研究者と別の手法によるトリプルドットの作成法と評価法の開拓を進め、本分野の権威ある学会誌である、Journal of Applied Physics誌に投稿し、掲載された。また、抵抗変化メモリのアナログ動作の手法を開拓した。セレクタとして用いたトランジスタのゲート電圧を変え、抵抗変化型メモリの抵抗をアナログ的に変化させることに成功した。そしてナノドットアレイと接続できる回路を提案し、それを詳しく分析することで、高機能フレキシブルデバイスとしての動作の可能性を示した。国際会議で筆頭３件の発表を行った。②この抵抗変化メモリのアナログ記憶機能をニューラルネットによる極低消費電力な脳型コンピューティングに応用するため、新たなトランジスタの構造を提案した。そのトランジスタの構造は非対称的な構造を有するためニューラルネットワークの弱点であったリーク電流を減らすことができる。ニューラルネットワークアレイのセレクタとして重要な非対称MOSトランジスタの試作を、産業技術総合研究所と共同で、つくばセンターのクリーンルームに赴き完了し、その動作を確認した。

This study is aimed at providing a new and highly functional model for electronic devices that are resistant to change. In 2008, the company focused on research on the design and relationship of electronic components. Heisei 28 years, the following 2 items, achievements (1) Research related to electronic materials, co-investigators, and other methods, including the development of research methods and evaluation methods, and the development of research methods related to electronic materials, Journal of Applied Physics. To explore ways to resist changes in behavior. For example, if you want to change the voltage of the battery, you can change the voltage of the battery. The possibility of the circuit design, detailed analysis, and high performance is shown. The international conference was held in three parts. 2. The structure of the anti-corruption and anti-corruption system is proposed. The structure of the structure is not symmetrical. The structure of the structure is not symmetrical. The structure of the structure is not symmetrical. The test run of the MOS transistor is important, and the National Institute of Industrial Technology is working together to confirm the completion of the test run.