単電子デバイスとその高密度集積化

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本研究は平成8-11年度にわたって設定された特定領域研究「単電子デバイスとその高密度集積化」に関して、総括班を構成し、本特定領域研究の成果のとりまとめを行うことを目的とした。本特定領域研究は、A01)単電子輸送と単電子ナノ構造形成の物性論的基礎、A02)ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化、A03)単電子デバイスの創出とその回路・アーキテクチュアの検討、A04)単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓次、の4つの主要研究項目を設定し、厳選された計画研究班と特色ある公募研究者によって研究を推進してきた。平成12年度は、これらの主要研究項目を中心に、本特定領域研究を総括し、その成果の取りまとめを行った。(1)本特定領域研究で得られた研究成果を、広く国内外にアピールするために、研究成果発表会を、国際シンポジウム"2000 International Symposium on Formation,Physics and Device Application of Quantum Dot Structures(QDS2000)"(量子ドット構造の形成、物理とデバイス応用に関する国際シンポジウム)として、平成12年9月10日-14日に札幌市(北海道大学学術交流会館)にて開催した。外国人研究者26人を含め146人が参加し、発表論文総数は108編であった。また、会議のプロシーディングスをJapanese Journal of Applied Physics誌の特集号(平成13年3月号)として出版した。(2)各班の研究代表者が中心となって、A01〜A04の主要研究項目ごとに研究成果・研究業績等の取りまとめを行った。(3)(2)の結果に基づいて、本特定領域研究に参加した班員全員の研究成果を取りまとめ、本特定領域研究の総括を含めた「研究成果報告書」を作成した。