Design of highly sensitive gas detection interface based on semiconductor nanocrystals(Fostering Joint International Research)

基于半导体纳米晶的高灵敏度气体检测接口设计(促进国际联合研究)

基本信息

  • 批准号:
    15KK0189
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016 至 2019
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Gas detection characteristics of ZnO nanorod / CuO nanocrystals p-n junction
ZnO纳米棒/CuO纳米晶p-n结的气体检测特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takeshi Shinkai;Yuta Kido;Mitsuru Sasaki;Armando T. Quitain;Tetsuya Kida
  • 通讯作者:
    Tetsuya Kida
Hydrogen gas sensor using Graphene Oxide Composite
使用氧化石墨烯复合材料的氢气传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Aynul Sakinah;Nur Laila Hamidah;Masataka Shintani;Mitsuru Sasaki;Armando.T Quitain,Tetsuya Kida
  • 通讯作者:
    Armando.T Quitain,Tetsuya Kida
Electrochemical gas sensor based on proton conducting graphene oxide membrane
基于质子导电氧化石墨烯膜的电化学气体传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nur Laila Hamidah;Aynul Sakinah Ahmad Fauzi;Masataka Shintani;Mitsuru Sasaki;Armando T. Quitain; Tetsuya Kida
  • 通讯作者:
    Tetsuya Kida
カタロニア化学研究所(スペイン)
加泰罗尼亚化学研究所(西班牙)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
MoS2ナノ結晶の湿式合成とガスセンサ特性
MoS2纳米晶的湿法合成及其气体传感器性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    前田佳也;木戸悠太; Quitain T.Armand;佐々木満;木田徹也,
  • 通讯作者:
    木田徹也,
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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