Photoelectric conversion system of spin-information utilizing semiconductor quantum dots

利用半导体量子点的自旋信息光电转换系统

基本信息

  • 批准号：
    16H06359
  • 负责人：
    Murayama Akihiro
  • 金额：
    $ 118.56万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-05-31 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Excited Spin Engineering of In0.5Ga0.5As Quantum Dots by an Adjacent Two-Dimensional In0.1Ga0.9As Quantum Well Potential
相邻二维 In0.1Ga0.9As 量子阱势激发 In0.5Ga0.5As 量子点的自旋工程
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Hiura;K. Takeishi;J. Takayama;T. Kiba;and A. Murayama
  • 通讯作者：
    and A. Murayama
Electron-spin transport and spin relaxation in III-V compound semiconductor barrier layers integrated with self-assembled quantum dots
与自组装量子点集成的 III-V 族化合物半导体势垒层中的电子自旋输运和自旋弛豫
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    A. Murayama;S. Hiura;and J. Takayama
  • 通讯作者：
    and J. Takayama
Spin relaxation property after spin transfer from a semiconductor superlattice barrier to quantum dots
从半导体超晶格势垒到量子点的自旋转移后的自旋弛豫特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Hatakeyama;S. Hiura;J. Takayama;A. Murayama
  • 通讯作者：
    A. Murayama
Electron-spin dynamics in tunnel-coupled structures of InGaAs well and dot with different p-doping concentrations applied with electric field
电场作用下不同 p 掺杂浓度的 InGaAs 阱和点隧道耦合结构中的电子自旋动力学
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Park;H. Chen;S. Hiura;J. Takayama;A. Murayama
  • 通讯作者：
    A. Murayama
Suppression of thermally excited electron-spin relaxation in InGaAs quantum dots using p-doped capping layers toward enhanced room-temperature spin polarization
  • DOI：
    10.1063/5.0004300
  • 发表时间：
    2020-05
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Shino Sato;S. Hiura;J. Takayama;A. Murayama
  • 通讯作者：
    Shino Sato;S. Hiura;J. Takayama;A. Murayama
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  • 通讯作者：
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    0
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  • 发表时间：
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  • 影响因子：
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    Hiura Satoshi;Urabe Masayuki;Takeishi Kazuki;Itabashi Kodai;Takayama Junichi;Kiba Takayuki;Sueoka Kazuhisa;Murayama Akihiro;Ryotaro Arita
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