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Photoelectric conversion system of spin-information utilizing semiconductor quantum dots

Photoelectric conversion system of spin-information utilizing semiconductor quantum dots
利用半导体量子点的自旋信息光电转换系统
批准号：
16H06359
负责人：
Murayama Akihiro
金额：
$118.56万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-05-31 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H06359/
关键词：
半導体量子ドットスピン光デバイス電子スピン注入スピンダイナミクス光電スピン変換スピン増幅希薄窒化ガリウムヒ素スピン注入微細ナノ加工量子ドットナノ材料スピンエレクトロニクス光物性半導体超微細化半導体ナノ構造スピン緩和半導体微細加工中性粒子ビームエッチング自己組織化量子ドット

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Excited Spin Engineering of In0.5Ga0.5As Quantum Dots by an Adjacent Two-Dimensional In0.1Ga0.9As Quantum Well Potential
相邻二维 In0.1Ga0.9As 量子阱势激发 In0.5Ga0.5As 量子点的自旋工程
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Hiura, K. Takeishi, J. Takayama, T. Kiba, and A. Murayama]
通讯作者： and A. Murayama
Electron-spin transport and spin relaxation in III-V compound semiconductor barrier layers integrated with self-assembled quantum dots
与自组装量子点集成的 III-V 族化合物半导体势垒层中的电子自旋输运和自旋弛豫
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Murayama, S. Hiura, and J. Takayama]
通讯作者： and J. Takayama
Spin relaxation property after spin transfer from a semiconductor superlattice barrier to quantum dots
从半导体超晶格势垒到量子点的自旋转移后的自旋弛豫特性
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Hatakeyama, S. Hiura, J. Takayama, A. Murayama]
通讯作者： A. Murayama
Electron-spin dynamics in tunnel-coupled structures of InGaAs well and dot with different p-doping concentrations applied with electric field
电场作用下不同 p 掺杂浓度的 InGaAs 阱和点隧道耦合结构中的电子自旋动力学
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Park, H. Chen, S. Hiura, J. Takayama, A. Murayama]
通讯作者： A. Murayama
共 132 条
    Aharonov-Bohm effect in optically functional Type-I semiconductor quantum structures
    • 批准号：
      15K13267
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Murayama Akihiro
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金